时间：2025/7/4 2:23:47
阅读：10
SDG040T65N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的功率半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关应用。其耐压能力为 650V，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求，例如电源适配器、开关电源、电机驱动等。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：0.7Ω
栅极电荷：29nC
总电容（输入电容）：1300pF
开关速度：快速恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SDG040T65N 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力（650V），能够在高压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻（0.7Ω 典型值），有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，使得它适用于高频开关电路。
4. 良好的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内正常工作。
5. 小巧封装，便于 PCB 布局设计和安装。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品需求。
SDG040T65N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池充电器和电源适配器。
3. 逆变器和 UPS 系统。
4. LED 驱动和照明控制。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
6. 电机驱动和家电产品中的开关元件。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
SDM040T65N
STP40NF65
IRFZ44N
