类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：700 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　功耗（PD）：46 W
　　导通电阻RDS(on)@10V：0.42 Ω
　　导通电阻RDS(on)@5V：0.49 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：3 ~ 5 V
　　输入电容（Ciss）：930 pF @ 25 V
　　输出电容（Coss）：260 pF @ 25 V
　　反向恢复时间（trr）：34 ns
　　工作结温范围：-55 ~ +150 °C
　　封装/包：TSSMB (PowerDI5030-8)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

7N70G-TQ2-R采用先进的沟道设计和硅工艺技术，具备出色的电气性能和可靠性。其最大漏源击穿电压高达700V，使其非常适合用于离线式开关电源和高电压DC-DC转换器中，能够承受瞬态高压冲击而不发生击穿，确保系统在异常条件下仍保持安全运行。该器件的低导通电阻特性是其核心优势之一，在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.42Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，尤其适用于注重节能和散热控制的设计。即使在较低的栅极驱动电压（如5V）下，其RDS(on)也仅上升至0.49Ω，表现出良好的低电压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制电路，无需额外的电平转换或驱动芯片即可直接驱动，简化了外围电路设计。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，输入电容Ciss为930pF，输出电容Coss为260pF，较小的寄生电容有助于减少开关过程中的充放电能量损耗，从而提高高频开关应用中的效率。反向恢复时间trr为34ns，表明体二极管具有较快的恢复速度，可降低在桥式或同步整流拓扑中产生的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的动态响应能力和稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持在极端温度环境中可靠工作，适用于工业级和部分汽车级应用场景。TSSMB封装不仅体积小巧（典型尺寸约为5.0mm x 3.0mm x 1.0mm），还具备优良的热传导性能，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB，增强了散热能力，允许器件在较高功率下持续运行。此外，该封装支持回流焊工艺，便于SMT自动化生产，提升了制造效率和良率。

7N70G-TQ2-R广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高耐压和高效率的场合。典型应用包括AC-DC适配器、LED照明驱动电源、电视和显示器的内置电源模块、光伏逆变器中的直流侧开关单元以及工业电源系统。由于其700V的高击穿电压，该器件常被用作反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管，能够承受整流后的市电峰值电压，并在高频下实现高效的能量转换。在DC-DC升压或降压转换器中，它可用于高压侧开关，特别是在400V母线系统中作为功率开关元件，适用于服务器电源、通信设备电源和新能源系统中的中间级转换。
　　此外，该MOSFET也适用于电机控制电路中的低端或高端驱动，例如小型家电中的风扇控制、电动工具的调速模块等。在电池管理系统（BMS）或UPS不间断电源中，它可以作为充放电通路的控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长电池续航时间。在负载开关应用中，7N70G-TQ2-R可用于实现电源路径管理，提供快速的开启与关断响应，防止浪涌电流对系统造成冲击。其表面贴装封装形式特别适合紧凑型便携设备和高密度PCB布局设计，满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。同时，该器件的高可靠性也使其可用于工业自动化设备、医疗电子设备等对长期稳定性要求较高的领域。

APT7N70GP-HF
　　FQP7N70LTA
　　STP7NK70ZFP
　　KSE7N70G