制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2M x 8 位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：120 ns
　　接口类型：并行（x8）
　　封装类型：48-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：块擦除（可按扇区操作）
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　总线宽度：8 位
　　待机电流：典型值 100 μA
　　读取电流：典型值 20 mA
　　编程/擦除电流：典型值 30 mA

E28F016SC-120 采用 Intel 的 StrataFlash 技术，这是一种基于浮栅晶体管结构的非易失性存储技术，能够在每个存储单元中存储多个数据状态，显著提高了存储密度而无需缩小工艺尺寸。这种多层存储机制通过精确控制阈值电压的方式来实现多位存储，例如将单元分为“擦除态”和多个“编程态”，从而在一个物理单元内表示两位甚至更多位的信息。该技术不仅提升了单位面积的存储效率，还保持了良好的数据保持能力和耐久性。
　　该芯片具备出色的可靠性设计，包括内置错误检测与纠正机制（ECC）支持、写入锁定保护以及断电保护功能。即使在意外断电情况下，也能确保正在进行的编程或擦除操作不会导致数据损坏。此外，E28F016SC-120 提供了灵活的扇区架构，允许用户对特定区域进行独立擦除和编程，从而实现更高效的固件更新和数据管理。扇区大小通常为 64 KB 或更小，便于精细控制。
　　在性能方面，120纳秒的访问时间使其适用于中等速度的嵌入式系统，能够满足大多数实时控制应用的需求。其5V供电设计简化了系统电源架构，特别适合那些使用传统微控制器或DSP的系统，无需额外的电压转换电路。同时，低待机电流特性有助于降低整体系统功耗，延长电池寿命，尤其适用于便携式或远程部署设备。
　　该器件支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、车载电子、电信基站等严苛应用场景。其48引脚TSOP封装具有良好的热稳定性和机械强度，便于自动化贴片生产，并与其他标准SRAM或ROM器件引脚兼容，便于系统升级和替换。

E28F016SC-120 主要用于需要可靠、非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程I/O模块，这些系统通常需要长时间保存运行程序和配置参数，并要求在断电后仍能保留数据。此外，在通信领域，该芯片常用于路由器、交换机、DSL调制解调器等网络设备中，作为引导代码（boot code）或固件存储介质，确保设备上电后能够正确加载操作系统和驱动程序。
　　在消费类电子产品中，E28F016SC-120 被应用于打印机、多功能一体机、POS终端、智能家居控制器等设备，用于存储主控程序和用户设置信息。由于其支持多次擦写操作，非常适合需要定期升级固件的产品生命周期管理。
　　在汽车电子方面，尽管现代车辆越来越多地采用SPI NOR Flash，但部分老款车型或辅助控制单元（如车身控制模块BCM、空调控制器）仍在使用此类并行Flash芯片。E28F016SC-120 凭借其宽温特性和高可靠性，能够在发动机舱附近或仪表台内部等高温环境下稳定工作。
　　此外，该芯片也广泛用于测试测量仪器、医疗设备、安防监控系统等对数据完整性和稳定性有较高要求的行业设备中。其标准命令集接口和JEDEC兼容性使得开发人员可以轻松利用通用编程器进行烧录，也便于使用现有的嵌入式调试工具进行现场升级和维护。