时间：2025/12/27 9:07:03
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7N70-HC是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面条纹式场截止技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适用于中等功率级别的电力电子应用。7N70-HC中的“7N”表示其为第七代高压MOSFET产品线，“70”代表其漏源击穿电压为700V，“HC”则表明其具有特定的栅极电荷和导通电阻优化特性，适合高频开关操作。该器件通常采用TO-220FP或类似的通孔封装形式，便于散热安装，并可在工业级温度范围内稳定工作。由于其高耐压能力和出色的动态性能，7N70-HC在节能型电源设计中备受青睐。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：700 V
连续漏极电流（Id）@25°C：7 A
脉冲漏极电流（Idm）：28 A
栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：1.05 Ω 最大
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs 典型值：0.85 Ω
阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）@25°C：600 pF
输出电容（Coss）：170 pF
反向恢复时间（trr）：45 ns
最大功耗（Ptot）：50 W
工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
封装形式：TO-220FP
7N70-HC采用ST先进的第七代高压MOSFET工艺，具备优异的电气性能与可靠性。其核心优势之一是低导通电阻Rds(on)，在Vgs = 10V时典型值仅为0.85Ω，最大不超过1.05Ω，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该器件的700V高击穿电压使其能够应对瞬态过压情况，特别适用于离线式开关电源设计，例如适配器、照明电源和工业电源模块。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少驱动电路的功耗并提升开关速度，从而支持更高频率的PWM控制，减小外围滤波元件的体积。同时，其输入电容Ciss仅为600pF左右，在高频应用中可降低驱动损耗。此外，反向恢复时间trr为45ns，配合快速体二极管，能够在桥式拓扑中有效抑制电压尖峰，提升系统EMI性能。
7N70-HC的工作结温可达+150°C，具备良好的热稳定性，且在高温下仍能维持可靠的开关特性。其TO-220FP封装具有优良的散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于现代绿色电子产品设计。综合来看，7N70-HC在效率、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中功率开关电源中的理想选择。
7N70-HC主要用于各类中等功率开关电源系统，包括AC-DC适配器、LED照明驱动电源、工业电源模块、待机电源（standby PSU）、DC-DC变换器以及电机控制电路。其高耐压特性使其非常适合用于通用输入电压范围（85–265V AC）下的反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构。此外，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源和家用电器中的功率控制单元。由于其良好的动态响应和热性能，7N70-HC也常见于需要长时间连续运行的工业设备中。
STW7N70, FQA7N70, 2SK3569, IRFBG70
