型号：7N60ZL-TQ2-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95 Ω（@ Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：260 pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（Pd）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：PowerDI5060 (TOLL)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

7N60ZL-TQ2-R采用了安森美先进的超级结（Super Junction）MOSFET技术，这种结构通过在漂移区精确掺杂P型和N型区域，实现电荷平衡，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持了高击穿电压能力。与传统的平面或沟槽MOSFET相比，超级结结构在600V电压等级下实现了更高的单位面积导电性能，从而在相同封装尺寸下提供更低的导通损耗，提升了电源系统的整体效率。该器件在满载条件下仍能保持较低的工作温度，有助于减少散热器需求，降低系统成本并缩小产品体积。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，其输入电容和输出电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg），使得在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗和开关过渡时间。这对于诸如LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）和PFC（功率因数校正）电路等高频拓扑尤为重要。快速的开关速度减少了开关重叠时间，进一步降低了动态损耗，提高了转换效率。
　　此外，7N60ZL-TQ2-R具备良好的热稳定性，其TOLL封装（PowerDI5060）具有较大的裸露焊盘，可直接连接到PCB的散热层，实现高效的热传导。该封装还支持双面冷却，适用于高功率密度设计。器件的引脚布局优化了寄生电感，有助于减少电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受能力，能够在瞬态过压和负载突变情况下保持稳定运行，提升了系统在恶劣工况下的可靠性。其栅极氧化层经过严格工艺控制，确保长期工作的稳定性，避免因栅极击穿导致的早期失效。综合来看，7N60ZL-TQ2-R在性能、可靠性和封装集成度方面均达到了先进水平，是现代高效电源设计中的优选器件。

7N60ZL-TQ2-R广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效率和高功率密度的设计场景。典型应用包括：AC-DC电源适配器、服务器电源、电信电源系统、工业电源模块以及LED照明驱动电源。在这些应用中，该器件常用于PFC升压级电路，作为主开关管使用，利用其低Rds(on)和高开关频率特性来提升功率因数并降低能耗。
　　在反激式（Flyback）和准谐振（QR）电源拓扑中，7N60ZL-TQ2-R可用于主开关，适用于50W至200W范围的电源设计，特别适合笔记本电脑充电器、显示器电源和智能家居设备电源。由于其表面贴装封装，有利于实现自动化生产和更紧凑的PCB布局，适合追求轻薄化和小型化的产品设计。
　　此外，该器件也可用于DC-DC转换器中的高压侧开关，如在半桥或全桥拓扑中作为开关元件，适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动等工业应用。其高耐压和良好热性能使其在高温环境下依然稳定运行，增强了系统的环境适应性。
　　随着电子产品对能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）要求的提高，7N60ZL-TQ2-R凭借其优异的静态和动态参数，成为满足严苛能效法规的关键器件之一。其在待机功耗优化和满载效率提升方面的表现尤为突出，帮助终端产品通过认证并提升市场竞争力。

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　　 "7N60ZL",
　　 "STW7N60Z",
　　 "FQP7N60L",
　　 "KSC7N60Z",
　　 "2SK3569"
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