型号：7N60-HC
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：3~5V
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：280pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

7N60-HC的核心特性之一是其高达600V的漏源击穿电压，使其适用于大多数通用交流输入范围内的开关电源设计，尤其是在85VAC至265VAC的宽电压输入条件下表现优异。该电压等级确保了在电网波动或瞬态过压情况下仍能保持安全运行，提升了系统的鲁棒性。此外，其较低的导通电阻（RDS(on)）仅为1.2Ω，在同类产品中处于领先水平，这意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，有助于提高电源的整体效率，并减少对散热器的需求，进而缩小整机体积与成本。
　　另一个关键特性是其优化的动态参数，特别是栅极电荷（Qg）仅为45nC左右，这显著降低了驱动电路所需的能量，使得控制器可以更轻松地驱动该MOSFET，尤其适用于高频开关场合。同时，较低的输入和输出电容（Ciss和Coss）进一步减少了开关过程中的充放电损耗，提升了开关速度，从而有效降低开关导通和关断过程中的能量损耗，这对追求高效率的小功率适配器、充电器和LED驱动电源尤为重要。
　　7N60-HC还具备良好的热稳定性与雪崩耐量能力，能够在高温环境下长期稳定工作，结温最高可达150°C，满足工业级应用需求。其体二极管具有较快的反向恢复时间（约45ns），可在某些拓扑中作为续流路径使用，避免因反向恢复引起的电压尖峰和EMI问题。此外，该器件采用TO-220封装，具有良好的机械强度和散热能力，可通过加装散热片实现更高功率密度的应用。整体而言，7N60-HC在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择。

7N60-HC广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在需要高电压隔离和高效能转换的场景下表现出色。常见应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块、LED照明驱动电源以及小型工业电源设备。在反激式（Flyback）拓扑中，7N60-HC通常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流电周期性地切换，通过变压器实现能量传递和电压变换。由于其具备600V耐压能力和较低的导通电阻，非常适合用于单端反激变换器，在全电压输入范围内保持高效运行。
　　此外，该器件也可用于有源钳位正激变换器、半桥LLC谐振变换器等更为复杂的拓扑结构中，作为主开关或辅助开关使用。在电机控制领域，7N60-HC可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与方向控制。其快速开关特性和较低的开关损耗有助于减少电机驱动过程中的发热问题，提升系统响应速度。
　　在光伏逆变器、UPS不间断电源和智能电表等工业电子设备中，7N60-HC也常被用作DC-DC升压或降压电路中的功率开关元件。得益于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，即使在恶劣的工作环境中也能保持长期可靠运行。另外，由于其封装标准化且引脚兼容性强，便于替换和维修，因此在售后市场和替代方案设计中也广受欢迎。总的来说，7N60-HC凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的综合优势，已成为中小功率电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

STP7NK60ZFP
　　FQP7N60C
　　KSP7N60FG
　　APX7N60GT