型号：7N20L
　　封装类型：TO-220
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：200V
　　连续漏极电流(Id)：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.85Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：≤1.2Ω @ Vgs=5V
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：600pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：150pF @ Vds=25V
　　反向传输电容(Crss)：35pF @ Vds=25V
　　栅极电荷(Qg)：35nC @ Vgs=10V
　　上升时间(tr)：50ns
　　下降时间(tf)：50ns

7N20L作为一款中高压N沟道MOSFET，在性能和可靠性方面表现出色。其最显著的特性之一是具备200V的高漏源击穿电压，使其能够安全地应用于多种离线式开关电源拓扑结构中，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及半桥电路等。在此类应用中，器件需要承受来自变压器初级绕组的高压尖峰，而7N20L的设计能够有效抵御这些瞬态过压，从而提升整个电源系统的稳定性与安全性。
　　该器件的连续漏极电流可达7A，在良好散热条件下可维持较高负载能力，适合驱动中等功率负载，例如小型电机、电磁阀或大功率LED阵列。同时，其导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时不超过0.85Ω，在同类产品中处于合理水平，有助于降低导通损耗，提高能效。特别是在5V驱动逻辑下仍能保持较低的Rds(on)（≤1.2Ω），使得它兼容多种控制器输出，包括基于PWM控制的IC直接驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计复杂度。
　　7N20L还具备较快的开关速度，得益于其较低的输入电容（Ciss=600pF）和栅极电荷（Qg=35nC），这减少了开关过程中的过渡时间，进而降低了开关损耗，有利于实现高频操作下的高效能量转换。这对于追求小型化和高效率的现代电源设计尤为重要。此外，器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，保证了启动的一致性与可控性，避免因阈值过低导致误触发或过高造成开启困难的问题。
　　热性能方面，7N20L的最大功耗为50W，结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境。TO-220封装提供了良好的热传导路径，便于安装散热片以增强散热效果。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，可在感性负载断开时提供续流通道，防止电压反冲损坏其他元件。总体而言，7N20L是一款综合性能优良、适用范围广泛的功率MOSFET器件，特别适合对成本、效率和可靠性均有要求的应用场景。

7N20L广泛应用于各类中等功率电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为主开关管，尤其是在AC-DC适配器、充电器、机顶盒电源模块和小型UPS不间断电源中表现优异。其200V的耐压能力足以应对整流后的市电峰值电压，并留有一定的安全裕量，确保长期运行的稳定性。在反激式转换器中，7N20L负责周期性地储存和释放变压器中的能量，实现电压变换与隔离功能。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换电路中，特别是在输入电压较高（如48V系统）且输出功率在数十瓦级别的场合。例如在通信设备、工业仪表供电系统中，7N20L可用于构建非隔离型Buck或Boost拓扑，提供稳定的直流输出。由于其具备较强的电流驱动能力，也可作为电机驱动电路中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。
　　在照明领域，尤其是大功率LED驱动电源中，7N20L可用于恒流控制电路中的功率开关，配合专用控制芯片实现精确调光与过流保护。其快速响应特性有助于提升调光精度和平滑度。另外，在逆变器、电焊机、电子镇流器等高电压、高频率工作的设备中，7N20L也能胜任功率切换任务。
　　在自动化控制系统中，7N20L还可用于电磁继电器、电磁阀或加热元件的通断控制，替代传统机械继电器，实现无触点开关，延长使用寿命并减少电磁干扰。总之，凡是需要高效、可靠地控制中等功率电能的应用，7N20L都是一种经济实用的选择。

IRF7N20L
　　FQP7N20L
　　STP7N20L
　　KP7N20L
　　SIHF7N20E