时间：2025/8/9 20:08:01
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7MBR100U4B120-50 是由三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的一款IGBT模块，属于其第七代IGBT模块系列。该模块结合了高效的IGBT芯片技术和优化的封装设计，提供了优异的电气性能和可靠性。7MBR100U4B120-50 主要用于高功率应用，如变频器、电机驱动器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及工业自动化设备。
额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：100A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：10μs @ 150°C
封装类型：B1型模块
芯片技术：第7代 IGBT 芯片
导通压降：约1.7V @ IC=100A
短路电流：约300A
热阻（Rth）：0.25°C/W
隔离电压：2500VAC（1分钟）
重量：约80g
7MBR100U4B120-50 IGBT模块采用了三菱电机最新的第7代IGBT芯片技术，该技术在导通压降和开关损耗之间实现了优化平衡，提升了整体能效。模块的短路耐受能力高达10μs，确保在极端工况下仍能保持稳定运行。其B1型封装结构设计紧凑，具备良好的热管理和机械稳定性，能够有效散热并防止因温度变化引起的应力损坏。此外，该模块具备高隔离电压（2500VAC），适用于高电压隔离要求的应用场景，确保系统的安全性和可靠性。
在电气性能方面，7MBR100U4B120-50 的额定集电极-发射极电压为1200V，额定集电极电流为100A，适用于中高功率变频器和工业电机驱动器。其导通压降约为1.7V（在100A条件下），有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该模块的开关损耗较低，使得在高频开关应用中仍能保持良好的能效表现。模块的热阻为0.25°C/W，表明其具有优异的热传导性能，能够在高负载条件下保持稳定运行温度。
此外，该IGBT模块还具备良好的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力，适用于复杂的工业电磁环境。其封装材料和结构均经过严格测试，确保在长期运行中不会因温度、湿度或振动而发生性能退化。
7MBR100U4B120-50 主要应用于工业变频器、伺服驱动器、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电焊机、UPS不间断电源以及高频感应加热设备等。其高电压、高电流能力和优异的可靠性使其成为中高功率电力电子系统的理想选择。特别是在需要高效率、高稳定性和高可靠性的工业自动化和新能源应用中，该模块能够提供卓越的性能支持。
7MBR100U4B120-50 的替代型号包括英飞凌（Infineon）的FF100R12KS4、富士电机（Fuji Electric）的2MBI100U4B120-50以及东芝（Toshiba）的MGF100U4B120-50。这些型号在电气参数、封装形式和性能方面与7MBR100U4B120-50相近，适用于相似的应用场景。
