LDTA113ZLT1G 时间：2025/8/14 0:37:55 阅读：21

LDTA113ZLT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率和低噪声应用而设计，具有良好的增益带宽积和低噪声系数。该器件采用SOT-23封装，适合用于便携式设备和射频（RF）电路中。LDTA113ZLT1G广泛应用于无线通信系统、射频放大器、混频器和振荡器等高频电路中。

参数

类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　增益带宽积（fT）：1.2GHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为70-600（根据等级不同）
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LDTA113ZLT1G晶体管具备优异的高频性能和低噪声特性，适用于射频和高频电路设计。该晶体管的增益带宽积高达1.2GHz，使其在高频放大应用中表现出色。此外，该器件的噪声系数典型值为0.5dB，适合用于需要低噪声放大的场合，例如无线通信接收器前端。晶体管的电流增益（hFE）在2mA工作电流下可达到70至600，具体取决于器件的等级。这种晶体管还具有良好的稳定性和可靠性，适用于严苛的工业和通信环境。
　　LDTA113ZLT1G的SOT-23封装形式使其易于集成到小型电路板中，并具有良好的热性能和机械稳定性。其低功耗特性（最大功耗为200mW）也使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端温度条件下正常工作，满足工业级应用的要求。

应用

LDTA113ZLT1G晶体管广泛应用于射频放大器、混频器、振荡器和低噪声放大器（LNA）等高频电路中。它在无线通信系统中常用于接收器前端的低噪声放大，以提高信号的灵敏度和质量。此外，该晶体管也可用于音频放大器、电压调节器和开关电路等通用模拟电路设计。在射频识别（RFID）系统、蓝牙模块、Wi-Fi设备和移动电话中，LDTA113ZLT1G也被广泛采用，以实现高性能的射频信号处理。