77F470J-RC 时间：2025/12/28 23:00:20 阅读：10

77F470J-RC是一款由美国Microsemi公司（现为Microchip Technology）生产的功率MOSFET晶体管，属于其高压功率MOSFET产品系列。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等高功率需求的电子系统中。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具备优良的导通和开关性能，适用于高频率和高效率的功率转换场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：900V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：1.4A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：5.6A
　　导通电阻(Rds(on))：1.3Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220AB
　　功率耗散(Pd)：50W

特性

77F470J-RC具备多项高性能特性，使其适用于各种高电压和高功率应用。首先，其高耐压能力（900V Vds）使得该MOSFET非常适合用于高压电源转换系统，例如AC-DC电源适配器、离线式开关电源等。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)最大为1.3Ω）有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（50W），确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　该器件采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，适用于各种工业级应用环境。其±30V的栅极-源极电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性，适用于多种栅极驱动电路设计。77F470J-RC还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，如DC-DC变换器和同步整流器。此外，其1.4A的连续漏极电流能力（在25℃下）和5.6A的脉冲漏极电流能力，使其在轻载和中等功率应用中表现出色。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。其广泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）也使其适用于严苛的工业和户外环境。