76SB05S是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置(Dual Common-Cathode Configuration),主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及极性保护等应用场合。该器件封装在小型SOT-23(也称SOT-23-6或SC-88A)封装中,具有占板面积小、重量轻、适合高密度贴装的特点,广泛应用于便携式电子设备和空间受限的设计中。76SB05S集成了两个独立的肖特基二极管,共享一个阴极连接,这种结构特别适用于双通道整流或电压钳位电路。由于其低正向导通压降和快速反向恢复特性,76SB05S能够有效降低功率损耗并提高系统效率,尤其适合低电压、大电流的应用环境。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,是现代电源管理设计中的理想选择之一。
类型:双共阴极肖特基二极管
封装:SOT-23-6 (SC-88A)
最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
最大平均整流电流(IO):200mA(每通道)
峰值浪涌电流(IFSM):1.25A
正向压降(VF):典型值0.35V @ 100mA, 最大0.5V @ 150mA
反向漏电流(IR):最大50μA @ 25°C, VR=30V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
热阻(RθJA):约350°C/W
引脚数量:6
安装类型:表面贴装(SMD)
76SB05S的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,使得其具备非常低的正向导通压降(VF),通常在0.35V左右(测试条件为100mA电流),远低于传统PN结二极管的0.7V压降。这一特性显著减少了在导通状态下的功率损耗(P = VF × IF),从而提高了整体电源转换效率,尤其在低输出电压、高电流的DC-DC转换器中表现突出。此外,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子的存储效应,因此其反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计,这使得76SB05S在高频开关应用中能够有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI),提升系统的动态响应能力。该器件采用双共阴极结构,即两个阳极各自独立,而阴极共用,这种拓扑非常适合用于同步整流后的续流路径或双路电压钳位电路,例如在H桥驱动或电机控制中用于抑制反电动势。此外,共阴极结构简化了PCB布局,减少了接地回路长度,有助于提升信号完整性和热性能。
76SB05S的SOT-23-6封装不仅体积小巧,便于在紧凑型设备中使用,还提供了良好的散热性能和机械稳定性。该封装支持自动化贴片生产,适用于大规模SMT(表面贴装技术)工艺,提升了制造效率与良率。器件的工作结温范围达到-55°C至+125°C,表明其可在严苛的工业或汽车级环境中稳定运行。同时,其低反向漏电流(最大50μA @ 30V)确保了在高温或高阻抗电路中仍能保持良好的关断特性,避免不必要的功耗和误触发。76SB05S符合RoHS指令要求,不含铅和有害物质,适用于绿色环保电子产品设计。此外,其高浪涌电流承受能力(1.25A)使其在瞬态过流或启动冲击下仍能保持可靠工作,增强了系统的鲁棒性。总体而言,76SB05S凭借其高效、紧凑、可靠的特点,成为众多低电压电源管理方案中的优选器件。
76SB05S广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块,特别是在USB供电路径、电池充放电控制电路中用于防止反向电流或实现电源切换。在DC-DC降压或升压转换器中,76SB05S常被用作续流二极管或同步整流辅助二极管,利用其低VF特性减少能量损耗,提升转换效率。此外,在LED驱动电路中,该器件可用于构建简单的电压箝位或防倒灌电路,保护敏感驱动IC免受反向电压损害。工业控制领域中,76SB05S也常用于传感器信号调理电路、PLC输入接口的极性保护,以及通信接口(如RS-232、I2C总线)的ESD和过压防护。在汽车电子系统中,尽管其电流能力有限,但仍可用于低功率节点的电源隔离或后备电池切换管理。另外,由于其快速响应特性,76SB05S也可用于高频开关电源中的噪声抑制网络或逻辑电平移位电路中的钳位元件。总之,凡是需要低功耗、小尺寸、高可靠性的双通道肖特基整流功能的场合,76SB05S均是一个极具竞争力的选择。
BAS40-05W