76PSB10ST 时间：2025/10/10 23:58:57 阅读：14

76PSB10ST是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用平面技术制造，专为高效率、低电压应用而设计。该器件具有低正向压降和快速开关特性，适用于多种电源管理与信号整流场景。其封装形式为SMB（DO-214AA），是一种表面贴装的小型封装，适合在空间受限的印刷电路板上使用。76PSB10ST的最大重复反向电压为100V，额定平均整流电流可达1.0A，在高温环境下仍能保持稳定性能。该二极管无铅且符合RoHS环保标准，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中。
　　这款器件的关键优势在于其优化的热性能和可靠性，能够在较宽的温度范围内工作，确保长期运行的稳定性。此外，由于其快速恢复时间，几乎不存在反向恢复电荷，因此在高频开关电源中可显著降低开关损耗，提高整体系统效率。76PSB10ST还具备良好的浪涌电流承受能力，增强了其在瞬态负载变化下的鲁棒性。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.875V（在1.0A, TJ=25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA（在25°C下）；10mA（在100°C下）
　　反向恢复时间（trr）：典型值< 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMB（DO-214AA）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

76PSB10ST的最主要特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒结构。在1.0A的正向电流下，其典型正向压降仅为0.875V，相较于传统的PN结二极管显著降低了导通损耗，从而提升了电源转换效率。这种低VF特性特别适用于低压直流-直流转换器、同步整流替代方案以及电池供电设备中的节能设计。
　　其次，该器件具备非常快的开关速度，反向恢复时间通常小于5纳秒。由于肖特基二极管的工作原理基于金属-半导体接触而非少数载流子注入，因此几乎没有反向恢复电荷（Qrr），避免了传统快恢复二极管中存在的反向恢复尖峰电流问题。这一特性使其非常适合用于高频开关电源拓扑，如反激式、升压（Boost）和降压（Buck）变换器，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升系统的动态响应能力。
　　此外，76PSB10ST具有出色的热稳定性和可靠性。其SMB封装提供了良好的散热路径，结合内部芯片设计优化，可在高达125°C的结温下持续工作。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保在严苛环境下的长期稳定性。
　　从制造工艺来看，76PSB10ST采用环保无铅焊接材料，并符合RoHS指令要求，支持绿色电子产品的开发。同时，其标准化的SMB封装便于自动化贴片生产，提高了组装效率并降低了制造成本。

应用

76PSB10ST广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。一个典型的应用是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出场合，例如5V或3.3V的DC-DC转换器。由于其低正向压降，能够有效减少功率损耗，提高整体能效，满足现代电子产品对节能和小型化的需求。
　　在逆变器和适配器设计中，76PSB10ST可用于输入端的防反接保护或输出端的续流二极管，防止感性负载引起的电压反冲损坏主控IC。它也常被用于电池充电管理系统中，作为隔离二极管以防止电池反向放电。
　　此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒的电源模块中，该器件因其紧凑的SMB封装和高可靠性而备受青睐。工业控制系统中的PLC模块、传感器供电单元以及LED驱动电源同样大量采用此类肖特基二极管来实现高效的能量传输。
　　在通信设备中，76PSB10ST可用于电源轨之间的隔离、瞬态抑制电路以及信号包络检波等模拟功能。其快速响应能力和稳定的电气特性使其成为多种混合信号系统中的关键元件。