类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：75A（@25°C）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.18Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220 或 TO-262

75N80 具备多项优异特性，适用于高功率和高电压应用环境。其最大漏源电压为 800V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。该 MOSFET 的连续漏极电流可达 75A，在良好的散热条件下可支持大功率负载切换。
　　导通电阻方面，75N80 的 Rds(on) 最大为 0.18Ω，这一数值相对较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其 ±30V 的栅源电压容限确保了栅极控制电路的稳定性与可靠性。
　　75N80 的封装设计采用 TO-220 或 TO-262 封装形式，具有较好的热传导性能，适合在高功率应用场景中使用。其额定功率耗散为 200W，具备良好的热稳定性，适用于持续高负载工作环境。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有较强的环境适应能力，适用于工业控制、电源适配器、电机驱动等复杂工作条件。

75N80 主要应用于需要高电压、大电流和低导通电阻的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制电路、UPS 电源系统、LED 驱动电源、电焊设备以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源设计中，75N80 可用于构建高效率的功率转换电路，其低 Rds(on) 和高耐压特性能够有效降低开关损耗，提高整体能效。在电机控制或电焊设备中，该 MOSFET 可以作为功率开关使用，控制大电流负载的通断。
　　此外，75N80 也适用于 LED 照明驱动电路，尤其是高压 LED 灯具的恒流驱动方案。其高可靠性和良好的热性能使其成为工业控制和自动化系统中的理想选择。

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