时间：2025/12/27 8:24:06
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75N75L-TQ2-R是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高电压、大电流功率MOSFET器件，采用先进的沟槽型场截止技术（Trench Field-Stop Technology），专为高性能电源转换应用设计。该器件具有750V的漏源击穿电压（V(BR)DSS）和75A的连续漏极电流能力（ID），适用于高效率开关电源、太阳能逆变器、电机驱动系统以及工业电源等高压应用场景。作为一款N沟道增强型MOSFET，75N75L-TQ2-R在高温工作条件下仍能保持良好的导通性能与可靠性。其封装形式为TO-263（D2PAK），属于表面贴装型封装，便于自动化生产并具备良好的散热性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合绿色电子产品设计需求。器件内部结构优化降低了寄生电容和导通电阻，从而减少开关损耗和传导损耗，在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异的能效特性。
型号：75N75L-TQ2-R
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压V(BR)DSS：750V
连续漏极电流ID @ 25°C：75A
脉冲漏极电流IDM：240A
栅源电压VGS：±30V
导通电阻RDS(on) @ VGS = 10V：约85mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = 15V：约75mΩ
阈值电压VGS(th)：典型值3.5V，范围2.5~4.0V
输入电容Ciss：约4300pF @ VDS=25V
输出电容Coss：约700pF @ VDS=25V
反向恢复时间trr：约55ns
二极管正向电压VSD：1.5V @ IS=7.5A
最大功耗PD：约300W（TC=25°C）
工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263 (D2PAK)
安装方式：表面贴装(SMD)
引脚数：3
75N75L-TQ2-R采用了AOS专有的沟槽栅场截止技术，这种先进的制造工艺不仅提升了器件的耐压能力，还显著降低了导通电阻RDS(on)，使得在高电流负载下仍能保持较低的传导损耗。该MOSFET在750V高电压环境中展现出卓越的雪崩能量承受能力和动态稳定性，能够在瞬态过压或负载突变情况下可靠运行而不发生击穿或退化。其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）设计有效减少了开关过程中的驱动损耗，提高了整体系统的转换效率，特别适用于高频开关电源如LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等拓扑结构。
器件的热阻特性经过优化，结到外壳的热阻（RθJC）约为0.42°C/W，配合适当的散热设计可实现高效的热量传导，延长使用寿命。内置的体二极管具有快速反向恢复特性，反向恢复时间短且恢复电荷小，有助于降低二次开通损耗，防止因反向恢复电流过大而引起的电磁干扰（EMI）问题。此外，该MOSFET具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，在高噪声工业环境中表现稳定。
由于采用TO-263封装，75N75L-TQ2-R支持自动回流焊工艺，适用于大规模SMT生产线，同时其底部散热片可直接连接PCB上的铜箔区域进行散热，提升功率密度。器件还集成了多重保护机制，包括过温保护边界设计、抗闩锁结构以及抗浪涌电压能力，确保长期运行的可靠性。其一致的批次间参数控制也增强了系统设计的可重复性和良品率。
75N75L-TQ2-R广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型用途包括服务器电源、通信电源、工业开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器件；在光伏（太阳能）逆变器中用作DC-AC转换级的功率开关，能够高效处理数百伏直流输入并实现低损耗能量回馈电网；在电机驱动领域，该器件可用于三相逆变桥臂，驱动交流感应电机或永磁同步电机，尤其适用于变频空调、电动工具和工业自动化设备。
此外，它也被用于电动汽车车载充电机（OBC）、UPS不间断电源、数字焊接电源以及LED大功率恒流驱动电源等场合。由于其高耐压和强电流能力，该MOSFET常被选用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，能够有效提升系统功率因数并满足严格的能效标准如80 PLUS Titanium认证。
在高端消费类电源适配器和大功率LED驱动模块中，75N75L-TQ2-R凭借其紧凑的封装和出色的热性能，成为替代传统TO-220通孔器件的理想选择，有助于缩小产品体积并提高集成度。
AOTF75S750 | AOZ75N75L | STW75N75 | IXTH75N75L
