工作电压：3.3V ± 0.3V
　　输入电平兼容性：支持5V输入耐压
　　输出类型：三态
　　输出驱动能力：通常为24mA（拉电流/灌电流）
　　传播延迟：典型值约2.5ns（VCC = 3.3V）
　　时钟到输出延迟（tpd）：2.8ns（最大值）
　　建立时间（tsu）：1.5ns（最小值）
　　保持时间（th）：0.5ns（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOIC-20 或 TSSOP-20
　　引脚数量：20
　　逻辑系列：LVT（低压TTL兼容）
　　最大时钟频率：可达150MHz以上（取决于负载条件）
　　静态功耗：极低，典型值小于10μA
　　动态功耗：随频率增加而上升，但仍显著低于同类双极型器件

74LVT574DB的核心特性之一是其三态输出功能，允许多个器件共享同一组数据总线。每个触发器的输出均配备独立的三态控制机制，由全局输出使能（OE）信号统一管理。当OE为低电平时，所有输出处于激活状态，能够正常传输锁存后的数据；当OE为高电平时，输出进入高阻抗状态，有效隔离器件与总线之间的电气连接，防止数据冲突。这一特性使其特别适用于微处理器系统中的数据缓冲、地址锁存以及总线驱动等场景。
　　另一个关键特性是其5V输入兼容性。尽管该器件工作在3.3V电源下，但其输入引脚能够安全承受高达5.5V的输入电压，无需额外的电平转换电路即可直接连接到5V逻辑器件（如传统的74HC或74LS系列）。这种跨电压互操作能力极大地简化了混合电压系统的设计复杂度，提升了系统的集成度与可靠性。
　　该器件采用先进的硅栅CMOS工艺制造，具备极低的静态功耗，同时在高频切换状态下仍保持较低的动态功耗，相较于传统的TTL或BiCMOS器件更为节能。此外，其快速的传播延迟和高时钟频率响应能力使其适用于高速数据采集、通信接口和视频处理等对时序要求严格的应用环境。
　　内部结构上，74LVT574DB包含八个独立的D型边沿触发触发器，所有触发器共用一个时钟（CLK）输入和一个输出使能（OE）控制信号。数据在时钟的上升沿被采样并锁存，确保精确的同步操作。输出级设计有优化的驱动能力，可直接驱动标准的TTL或CMOS负载，甚至在重负载条件下仍能维持良好的信号完整性。
　　器件还具备良好的热稳定性和宽温工作能力（-40°C至+85°C），适用于工业级应用环境。其封装形式符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。综合来看，74LVT574DB在性能、兼容性、功耗和可靠性之间实现了优异平衡，是高速数字系统中不可或缺的关键元件。

74LVT574DB广泛应用于需要高速数据锁存与总线接口功能的各类数字电子系统中。在微处理器和微控制器系统中，常用于地址锁存或数据缓冲，尤其是在并行总线架构中，作为地址/数据复用总线的分离器件，确保地址信息在正确的时刻被稳定锁存，从而提高系统访问存储器或外设的准确性与效率。其三态输出能力使得多个外围设备可以共享同一数据总线，仅在被选中时才驱动总线，避免了信号冲突。
　　在通信设备中，该器件可用于同步数据采集与转发，例如在串行到并行转换后的数据暂存，或者在FPGA、CPLD与外部存储器之间的接口电路中担任数据缓冲角色。由于其具备较高的驱动能力，可以直接驱动长距离走线或多负载节点，适用于背板总线、工业控制总线（如PCI局部总线早期设计）等应用场景。
　　在数字信号处理系统中，74LVT574DB可用于高速ADC或DAC的接口电路，用于锁存转换前后的数字量，确保数据在时钟节拍内准确传递。此外，在视频处理设备中，可用于像素数据的临时存储与同步输出，配合时钟信号实现帧缓存或行缓存功能。
　　该器件也常见于测试测量仪器、数据采集系统和嵌入式控制系统中，作为通用的电平转换与驱动增强单元。特别是在从旧有的5V系统向3.3V系统过渡的过程中，74LVT574DB因其5V输入耐压特性，成为理想的接口桥梁，无需额外电平转换芯片即可实现双向兼容。
　　此外，由于其小型化封装和高集成度，74LVT574DB适用于空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。无论是工业自动化、电信基础设施，还是消费类电子产品，只要涉及高速、低功耗、多设备共享总线的场合，该器件都能提供稳定可靠的解决方案。

SN74LVT574DBR
　　CD74LVT574E
　　74LVT574PW
　　MB84C574