74HC1G14CME 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)生产的单路反相施密特触发器集成电路,属于高速 CMOS 逻辑系列。该器件基于先进的硅栅极 CMOS 技术,提供高速运行和低功耗特性。作为单通道施密特触发反相器,它在输入端具有迟滞功能,可以将缓慢变化的模拟信号转换为清晰的数字输出信号。该器件广泛用于数字电路设计、信号调理、时钟发生器和开关去抖等领域。
类型:单路施密特触发反相器
电源电压范围:2.0V 至 6.0V
输入逻辑电平:CMOS
输出类型:推挽输出
最大传播延迟:18ns(在 6V 电源下)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOT23-5
静态电流(ICC):最大 1μA(典型值)
输入迟滞电压(Vh):典型 0.9V(在 5V 电源下)
74HC1G14CME 具备多个关键特性,使其在各种数字逻辑应用中表现出色。首先,其施密特触发输入结构具有明显的迟滞电压特性,这意味着输入端具有两个不同的阈值电压(一个用于上升沿,一个用于下降沿),有助于防止因输入信号噪声或缓慢变化而导致的输出误触发。这一特性使其非常适合处理正弦波、三角波等模拟信号转换为数字方波信号的应用。
其次,该器件支持宽范围的电源供电,从 2.0V 到 6.0V 均可正常工作,使其兼容多种电源系统和逻辑电平接口。此外,74HC1G14CME 的低功耗设计(典型静态电流仅为微安级别)使其非常适合用于电池供电设备和低功耗应用。
在速度方面,该器件的传播延迟时间在 6V 电源下可低至 18ns,满足大多数中高速数字电路的需求。其推挽输出结构提供了较强的驱动能力,能够有效驱动多个 CMOS 或 TTL 输入负载。
此外,该器件采用 SOT23-5 小型封装,节省 PCB 空间,适合高密度电路设计。由于其高可靠性、宽温度范围(-40°C 至 +125°C),该器件也适用于工业控制、汽车电子等恶劣环境下的应用。
74HC1G14CME 主要用于需要信号整形和噪声抑制的数字逻辑电路中。其典型应用包括构建 RC 振荡器或时钟发生器,利用其施密特触发特性来稳定振荡频率并减少信号抖动;在开关去抖电路中,用来消除机械开关或继电器的接触抖动,提高系统的稳定性;在模拟信号到数字信号的转换过程中,作为信号调理电路将模拟波形转换为清晰的数字信号。
此外,该器件也常用于数字通信系统中的信号再生和驱动电路,用于增强信号完整性。在传感器接口电路中,如光敏电阻、热敏电阻等模拟传感器的输出信号处理,可以利用其迟滞特性来提高系统的抗干扰能力。由于其低功耗和小封装特点,74HC1G14CME 也广泛应用于便携式电子产品、智能卡读写器、消费类电子设备以及工业自动化控制系统中。
74LVC1G14GW, 74AUP1G14GW, TC74VHC1G14F