型号：74F373N
　　逻辑系列：74F (Fast TTL)
　　封装类型：PDIP-20
　　通道数：8
　　电源电压：4.75V ~ 5.25V
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C
　　输出类型：三态
　　最大时钟频率：约100MHz（典型值）
　　传播延迟（典型）：约3ns ~ 5ns（从输入到输出）
　　逻辑电平兼容性：TTL
　　输入高电平电压（VIH）：≥ 2.0V
　　输入低电平电压（VIL）：≤ 0.8V
　　输出高电平电压（VOH）：≥ 2.7V（负载条件下）
　　输出低电平电压（VOL）：≤ 0.5V（负载条件下）
　　静态电流（ICC）：典型值约25mA
　　三态控制：OE（输出使能，低电平有效）
　　锁存使能：LE（高电平有效）

74F373N的核心特性之一是其基于高速TTL工艺实现的快速响应能力。该器件采用双极型晶体管结构，相较于标准74LS或CMOS系列器件，具有更短的传播延迟和更高的开关速度，典型传播延迟仅为3至5纳秒，使其能够在高频数字系统中可靠运行。这种高速性能使其非常适合用于地址锁存场景，例如在微处理器或微控制器系统中，用于锁存地址总线上的信息，以便在后续周期中释放总线用于数据传输。此外，74F373N集成了三态输出控制功能，允许多个器件共享同一总线而不发生冲突。当输出使能（OE）信号为低电平时，输出处于激活状态；当OE为高电平时，输出进入高阻抗状态，从而实现总线隔离。这一特性在多设备共用数据总线的系统中至关重要，能够有效避免信号竞争和总线争用问题。
　　另一个显著特性是其透明锁存行为。当锁存使能（LE）引脚为高电平时，输入数据直接传递到输出端，表现为“透明”模式；一旦LE变为低电平，当前输入数据即被锁定并保持在输出端，即使输入发生变化也不会影响输出。这种电平触发机制简化了控制逻辑设计，尤其适用于需要实时捕获某一时刻数据状态的应用。同时，该器件具备较强的输出驱动能力，能够直接驱动多个TTL输入负载，减少了对外部缓冲电路的需求。74F373N还具备良好的噪声抑制能力和稳定的电气性能，在工业环境下的抗干扰表现较为出色。尽管其功耗相对较高（典型静态电流约25mA），但在对速度要求高于功耗的应用中仍具优势。此外，该器件的工作温度范围为0°C至+70°C，适用于商业级应用，但在极端环境下需注意散热与稳定性问题。其PDIP-20封装形式便于手工焊接与原型开发，因此在教育实验和小批量项目中广受欢迎。

74F373N主要应用于各类需要高速数据锁存和总线管理的数字系统中。一个典型的应用场景是在微处理器系统中作为地址锁存器，用于锁存地址总线的低字节，以便在多路复用总线上分离地址与数据信号。例如，在8086、8051等经典微处理器架构中，地址/数据总线采用分时复用方式，74F373N可以在ALE（地址锁存使能）信号的控制下及时捕获地址信息并保持，从而确保后续内存或外设寻址的准确性。此外，该芯片也常用于I/O端口扩展，通过锁存外部输入数据或将CPU输出数据暂存，提升系统的外设控制能力。
　　在工业控制系统中，74F373N可用于采集传感器状态或控制继电器、LED指示灯等执行元件。其三态输出功能允许多个锁存器并联在数据总线上，通过片选和使能信号实现分时访问，提高了系统的可扩展性。在测试与测量设备中，该器件可用于构建数据采样保持电路，确保在高速采集过程中数据的完整性与时序一致性。此外，74F373N也适用于数字显示驱动电路，如驱动数码管或点阵显示屏，通过锁存显示数据来稳定输出信号，防止显示闪烁。在通信接口电路中，它可作为并行到并行的数据缓冲器，协调不同速率模块之间的数据交换。由于其TTL电平兼容性，74F373N还能与多种传统逻辑芯片无缝对接，适用于老旧系统升级或维护项目。尽管现代设计更多采用集成度更高的CPLD或专用接口芯片，但在教学实验、原型验证和特定工业设备中，74F373N依然发挥着重要作用。

74LS373N
　　74HC373
　　74HCT373
　　SN74F373N
　　74ACT373