型号：74ALVT16601DGG
　　类型：16位透明D类锁存器
　　通道数：16
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　逻辑高电平输入电压（VIH）：≥ 2.0V
　　逻辑低电平输入电压（VIL）：≤ 0.8V
　　输出电流（灌电流/拉电流）：±24mA（典型值）
　　传播延迟时间（tpd）：约2.5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSSOP-56
　　输入兼容性：5V TTL输入兼容
　　最大时钟频率：>100MHz
　　静态功耗：极低（微安级）
　　动态功耗：随负载和频率变化

74ALVT16601DGG的核心特性之一是其先进的低电压技术（ALVT），使其在保持高速性能的同时显著降低了功耗。该器件采用优化的CMOS工艺制造，确保了在3.3V电源下的高效运行，并且支持5V输入电平，这使得它可以在与旧有5V逻辑系统接口时无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计复杂度。
　　其16位透明锁存器结构由两个独立的8位锁存模块组成，分别由各自的锁存使能信号（LEA和LEB）控制，允许用户对不同数据通道进行分组控制，提升了使用的灵活性。当锁存使能信号为高电平时，输出跟随输入变化（透明模式）；当使能信号变为低电平时，输入数据被锁存并保持不变，直到下一次使能跳变。这种机制非常适合用于多路数据采集、地址锁存或总线隔离等应用场景。
　　该芯片具有出色的电气性能，包括快速的传播延迟（典型值仅为2.5ns）和高达±24mA的输出驱动能力，能够直接驱动多个下游逻辑门或长距离传输线路。同时，内部集成的阻抗匹配和信号整形电路有效减少了信号反射和振铃现象，提高了信号完整性。
　　为了增强系统可靠性，74ALVT16601DGG内置了上拉和下拉电阻选项，防止未连接输入端悬空导致的误触发。此外，器件具备良好的ESD保护（超过2000V HBM）和过压容限，可在恶劣环境下稳定工作。
　　该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用要求，适用于各种严苛环境下的嵌入式系统。TSSOP-56封装形式不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，有助于提高制造效率和产品一致性。

74ALVT16601DGG广泛应用于需要高速、低功耗数据锁存和缓冲的各种数字系统中。在计算机和服务器领域，该器件常用于地址总线锁存，将CPU发出的地址信号暂时保存，以便内存或外设在后续周期中使用，从而实现高效的时序控制和资源调度。
　　在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该芯片可用于数据路径中的信号缓冲与隔离，防止前后级电路之间的相互干扰，提升系统的抗噪能力和稳定性。由于其支持5V TTL输入，因此可方便地连接到传统外围设备或传感器，作为电平桥接和数据暂存单元。
　　工业控制系统中，PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和人机界面设备也常采用此芯片进行多路数字信号的采集与输出控制。例如，在运动控制卡中，它可以用来锁存来自上位机的控制指令，确保电机驱动器接收到稳定一致的命令信号。
　　此外，在测试测量仪器、医疗电子设备以及汽车电子模块中，74ALVT16601DGG凭借其高可靠性和宽温工作能力，成为关键的数据接口组件。特别是在需要长时间连续运行的系统中，其低静态功耗特性有助于减少热量积累，延长设备寿命。
　　FPGA和ASIC的外围电路设计中，该器件也常被用作通用I/O扩展器或状态寄存器，协助主处理器管理复杂的并行数据流。总之，凡是涉及高速、多通道、低压逻辑处理的应用场合，74ALVT16601DGG都是一个理想的选择。

SN74ALVTH16601DGGR
　　74ALVT16601DL