时间：2025/12/27 22:01:46
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74ABT821D-T是一款高速CMOS逻辑电平转换器，属于74ABT系列，专为实现5V与3.3V系统之间的双向信号兼容而设计。该器件由NXP Semiconductors生产，采用先进的硅栅CMOS技术制造，结合了高速度和低功耗的优点，同时具备与Bipolar TTL电平兼容的输出驱动能力。74ABT821D-T包含多个独立的非反相总线收发器，可用于数据总线接口应用，在需要混合电压系统互联的场景中表现优异。其封装形式为SO16（Small Outline 16引脚），适合表面贴装工艺，广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统及消费类电子产品中。该芯片具有高噪声抑制能力、出色的EMI性能以及过压保护功能，可安全连接到5V逻辑环境而不会损坏。此外，它支持热插拔操作，具备高阻抗状态下的三态输出，便于多设备共享总线。器件工作温度范围通常为-40°C至+85°C，符合工业级应用要求，并通过了RoHS合规认证，适用于无铅焊接流程。
型号：74ABT821D-T
制造商：NXP Semiconductors
系列：74ABT
逻辑功能：双总线收发器（非反相）
电源电压（VCC）：4.5V 至 5.5V（5V端）；2.7V 至 3.6V（3.3V端）
输入电压兼容性：支持5V tolerant inputs on 3.3V side
传播延迟（tpd）：典型值约3.5ns（@ VCC=5V）
输出类型：三态
输出驱动能力：±24mA（输出低时典型灌电流）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：SO16 (SOP16)
引脚数：16
安装类型：表面贴装（SMD）
静态电流（ICC）：最大10μA（待机状态）
低电平输入电压（VIL）：≤ 0.8V
高电平输入电压（VIH）：≥ 2.0V（5V侧）；≥ 2.0V（3.3V侧）
低电平输出电压（VOL）：≤ 0.5V（@ IOL = 12mA）
高电平输出电压（VOH）：≥ 2.5V（@ IOH = -12mA）
上升/下降时间：典型值5ns（@ 50pF负载）
74ABT821D-T的核心特性在于其卓越的电平转换能力和高速传输性能，使其在混合电压系统设计中成为关键元件。该器件内部集成了两个独立的非反相总线收发通道，每个通道均可配置为从A端向B端或从B端向A端的数据传输方向，具体方向由方向控制引脚(DIR)决定，使能端(OE)则用于控制输出是否进入高阻态，从而实现总线隔离。这种灵活的控制机制非常适合用于微处理器、DSP与外围设备之间的双向数据交换。
该芯片采用先进的BiCMOS工艺制造，在保持CMOS低功耗优势的同时，提供了类似TTL的强大输出驱动能力，能够直接驱动多个TTL负载而无需额外缓冲。其传播延迟极短，典型值仅为3.5ns，确保在高频总线操作中保持信号完整性。此外，所有位于3.3V侧的输入端口均具备“5V耐受”功能，即允许施加最高达5.5V的输入电压而不造成器件损坏或闩锁效应，这极大增强了系统互操作性和可靠性。
74ABT821D-T还具备出色的抗干扰能力，内置施密特触发输入结构提高了噪声容限，减少了因信号抖动引起的误触发风险。器件支持热插拔功能，在上电或断电过程中不会对总线产生异常影响，避免了系统误动作。所有输出端都具备三态控制，允许多个器件共享同一总线资源，提升了系统的扩展性。此外，该芯片具有低静态功耗和宽温工作范围，适用于严苛工业环境下的长期稳定运行。其封装符合JEDEC标准，便于自动化贴片生产，提高整机良率。
74ABT821D-T广泛应用于需要在不同电压域之间进行高速数据传输的电子系统中。典型应用场景包括将工作在3.3V的现代微控制器、FPGA或ASIC与传统5V TTL逻辑电路进行接口连接，例如在工控主板、通信模块、测试仪器和嵌入式控制系统中实现跨电压总线通信。由于其支持双向数据流和三态输出，常被用于地址/数据总线隔离与驱动，尤其适用于多主控架构下的总线仲裁系统。
在数字信号处理系统中，该器件可用于连接不同供电电压的DSP芯片与外围存储器（如SRAM、EEPROM），确保数据可靠传输的同时避免电平不匹配导致的逻辑错误。此外，在热插拔背板设计中，74ABT821D-T的上电三态和无干扰上电特性使其能够在模块插入或拔出时自动隔离总线，防止总线冲突，保障系统稳定性。
该芯片也常见于桥接电路设计中，作为PCI局部总线与低电压逻辑之间的接口单元，或用于PLD（可编程逻辑器件）与微处理器之间的电平适配。在汽车电子和工业自动化领域，其宽温特性和高可靠性使其适用于恶劣环境下的控制单元间通信。此外，因其封装小巧且易于布局，也被广泛用于空间受限的便携式设备和高密度PCB设计中，提供高效、可靠的电平转换解决方案。
74ABT821DB,118
SN74ABT821D
74ABT821PW
