74279220321 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,以实现高效的功率控制和管理。该器件采用先进的技术制造,具有优良的导通和开关性能,适用于电源管理、电机控制、电池供电设备等应用场景。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (Vds): 30V
栅源电压 (Vgs): ±20V
连续漏极电流 (Id): 60A
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: TO-220
导通电阻 (Rds(on)): 0.016Ω
最大功耗 (Pd): 150W
74279220321 MOSFET 具有低导通电阻的特点,使其在导通状态下能够减少功率损耗并提高效率。其高电流容量和低热阻确保了在高负载条件下依然能够保持良好的散热性能。此外,该器件具备优异的开关速度,从而降低了开关损耗,并提高了整体系统效率。
这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽广,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,支持广泛的应用需求。其耐用的设计和高可靠性使其适用于苛刻的工作环境,例如工业自动化、汽车电子以及可再生能源系统等。
此外,74279220321 提供了强大的过热保护功能,确保器件在极端条件下不会因过热而损坏。这种特性进一步提高了系统的稳定性和使用寿命。
74279220321 MOSFET 主要应用于以下领域:工业电源和电机控制、汽车电子系统、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、高功率 LED 照明控制以及自动化控制系统等。由于其高性能和可靠性,该器件非常适合需要高效功率管理的场景。
Si4410BDY, IRF1405, FDP6670, STD60N3LLH6