类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：1.6Ω（最大）
　　封装类型：TO-247
　　技术：平面栅极技术

IXZR08N120 的主要特性之一是其高达 1200V 的漏源电压，这使得它适用于高电压开关应用。该器件采用了先进的平面栅极技术，提供了较低的导通损耗和快速的开关性能。其低导通电阻（最大 1.6Ω）有助于减少工作时的功率损耗，提高整体效率。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的热管理能力，能在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。TO-247 封装形式便于安装在散热器上，进一步增强其热传导能力。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定，避免损坏。这使得 IXZR08N120 在诸如工业电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等需要高可靠性的场合中表现出色。
　　由于其高耐压和良好的动态性能，IXZR08N120 可广泛用于电源管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊设备等应用中。

IXZR08N120 常用于各种高电压、高功率的电力电子系统中，包括但不限于：
　　? 工业电机驱动和变频器
　　? 太阳能逆变器和储能系统
　　? 电源管理系统（如 UPS）
　　? 电焊机和等离子切割设备
　　? 高压 DC-DC 转换器和整流器
　　? 电机控制和负载开关应用

IXGH08N120T, IXFH08N120P, IRGPC50K, FGA25N120ANTD