72F324J6B5 时间：2025/7/22 23:27:20 阅读：7

72F324J6B5 是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.044Ω @ VGS = 10V
　　封装类型：TO-236（SOT-23）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

72F324J6B5 MOSFET具有多项优异特性，使其在电源管理领域中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，这种特性尤为重要，能够有效减少热量产生，提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压额定值为30V，适合多种中低功率应用。栅源电压为20V，提供了良好的栅极控制能力，确保器件在各种工作条件下稳定运行。
　　此外，72F324J6B5采用TO-236（SOT-23）封装，具有较小的尺寸和良好的热管理能力，适合在空间受限的设计中使用。该封装还具有较高的机械强度和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　器件的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端温度环境下稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用。该MOSFET还具有快速开关特性，能够支持高频操作，进一步提高电源转换效率。
　　综合来看，72F324J6B5是一款性能优异的功率MOSFET，凭借其低导通电阻、高耐压能力和紧凑的封装设计，广泛应用于各类电源管理和功率转换电路中。