7164S20(GEN)是一种静态随机存取存储器(SRAM)芯片,广泛用于需要高速数据访问的应用场景。该器件通常采用高速双极型或CMOS工艺制造,具有低功耗、高速度以及无需刷新电路即可保持数据的特性。该型号属于通用SRAM芯片,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等应用场景。
容量:8K x 8位
电源电压:5V ± 10%
访问时间:20ns
封装类型:28引脚DIP或SOIC
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 70°C)
输入/输出电平:TTL兼容
封装尺寸:根据具体封装形式而定
功耗(典型值):约300mW
高速存取能力:7164S20(GEN)具备20ns的访问时间,使其能够满足对响应速度有较高要求的系统设计需求。
非易失性不需要刷新:作为SRAM的一种,它在供电期间可以持续保存数据,无需像DRAM那样进行周期性的刷新操作,从而简化了系统设计并提高了可靠性。
低待机电流:在未被选中时,芯片可进入低功耗模式,显著降低整体能耗,这对于电池供电或节能型应用尤为重要。
广泛的适用性:由于其标准接口和通用功能,它可以无缝集成到多种微处理器系统中,支持直接连接CPU和其他外围设备。
高抗干扰性能:该芯片在设计上考虑到了电磁干扰(EMI)问题,采用了优化布局与屏蔽技术,确保在复杂环境中仍能稳定运行。
工业控制系统:如PLC、数据采集模块、自动化设备中的缓存存储单元。
通信设备:用于路由器、交换机或无线基站的临时数据存储,以提升传输效率。
消费电子产品:如打印机、扫描仪或其他智能家电设备>嵌入式系统开发:常用于原型验证板、评估套件或定制硬件平台上的内存扩展解决方案。
测试测量仪器:作为高速缓存使用,提高仪器的数据处理能力和实时性。
IDT7164S20JI
CY7C168B-20ZC
AS7C31026-20JC
ISSI IS61LV25616-10T