1N4759AM 是一种硅基齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节和稳压电路中。该器件具有固定击穿电压,能够在一定的电流范围内保持相对稳定的电压输出。1N4759AM 通常采用 DO-41 封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于各种电子设备中的电压参考和稳压功能。
齐纳电压:12V
齐纳电流:10mA
最大耗散功率:1W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-65°C 至 +200°C
封装形式:DO-41
1N4759AM 齐纳二极管的主要特性包括精确的电压调节能力和良好的温度稳定性。其标称齐纳电压为 12V,在额定齐纳电流(通常为 10mA)下能够提供非常稳定的电压输出。该器件的功率耗散能力为 1W,适用于中小功率的稳压应用。由于其 DO-41 封装具备良好的散热性能,1N4759AM 能够在较宽的环境温度范围内保持稳定工作。
此外,该齐纳二极管具有较低的动态电阻,有助于减小输出电压随电流变化的波动,从而提高稳压精度。它还具有较快的响应时间,适用于需要快速稳定电压的电路设计。1N4759AM 的结构设计使其具备良好的抗静电能力和较高的可靠性,适合用于工业控制、电源管理、测量仪器以及消费类电子产品中。
1N4759AM 常用于各种需要稳定电压的电子电路中,例如电源电路中的基准电压源、电压调节器、过压保护电路、信号调理电路以及仪表测量电路等。在数字电路中,它可以作为参考电压用于比较器或 ADC/DAC 模块。此外,该器件也适用于电池供电设备、稳压模块、LED 驱动电路、工业控制系统以及通信设备中的电压基准应用。
1N5242B-T, 1N4759A-T, BZX84-C12