时间：2025/7/16 8:58:28
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7101TDZQE是一款高性能的功率MOSFET晶体管，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装，能够有效提高电路的效率并降低功耗。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：180W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263(D2PAK)
7101TDZQE具备出色的电气性能，包括较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，从而提升整体效率。
此外，该器件的快速开关能力使其适用于高频应用环境，而其较高的电流承载能力则确保了在大负载条件下的稳定运行。
器件内部集成了静电放电(ESD)保护功能，提高了产品的可靠性，并且支持表面贴装技术(SMT)，简化了生产工艺流程。
由于其优异的散热设计，7101TDZQE能够在高温环境下保持稳定的性能表现，非常适合工业及汽车电子应用。
7101TDZQE广泛应用于各类电力电子设备中，例如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动车辆的电机控制器。
它也可用于消费类电子产品中的高效能电源管理模块，如笔记本电脑适配器和家用电器中的功率调节单元。
另外，在工业自动化系统里，这款MOSFET可用于伺服驱动器和机器人控制系统的功率输出级，以实现精准的运动控制。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L
