6RI100G-140 时间：2025/8/9 3:20:56 阅读：24

6RI100G-140是一种高性能的碳化硅（SiC）功率晶体管，专为高功率和高频率应用设计。它采用了先进的碳化硅技术，能够提供优异的导通和开关性能，适用于各种电力电子设备。这种晶体管的高耐压能力和高热导率使其在极端工作条件下依然保持稳定性和可靠性。

参数

类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1400V
　　连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流：300A
　　导通电阻(Rds(on))：6mΩ
　　栅极电荷(Qg)：50nC
　　工作温度范围：-55℃~200℃
　　封装类型：TO-247-3

特性

6RI100G-140具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频条件下实现高效的功率转换。其碳化硅材料具有高击穿电场强度和优异的热传导性能，使得器件在高温环境下依然保持良好的性能。此外，该晶体管还具备较高的短路耐受能力和较低的电磁干扰（EMI），适用于苛刻的工业环境。器件的封装设计便于散热，有助于提高系统的整体可靠性和寿命。
　　该晶体管的驱动要求较低，能够与标准的MOSFET驱动器兼容，简化了设计和应用过程。其优异的动态性能可以显著减少开关损耗，提高系统的能效。6RI100G-140还具有较强的过流和过热保护能力，能够在异常情况下提供额外的安全保障。