H9DA4VH4JJAMCR-4EM 是一款由SK Hynix(海力士)生产的NAND闪存芯片。该芯片属于高密度、高性能的NAND闪存解决方案,广泛用于需要大容量存储和高速数据读写的应用场景。该芯片采用BGA封装形式,具备较小的物理尺寸和较高的集成度,适用于消费类电子产品、嵌入式系统、固态硬盘(SSD)以及其他存储设备。
容量:4GB
封装类型:BGA
接口类型:ONFI 2.3
工作电压:2.7V - 3.6V
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达20MB/s
擦除速度:块擦除时间约2ms
工作温度范围:-40°C至+85°C
H9DA4VH4JJAMCR-4EM 是一款采用SLC(单层单元)技术的NAND闪存芯片,具有较高的可靠性和较长的使用寿命。该芯片支持ONFI 2.3标准接口,兼容多种控制器和存储系统,便于集成到不同的应用环境中。
该芯片具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级和消费级应用。其低功耗设计使其在电池供电设备中表现出色,同时支持高速数据传输,满足实时数据处理需求。
此外,H9DA4V4HJJAMCR-4EM 支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测和纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。其内置的坏块管理功能可以自动识别并跳过损坏的存储块,确保数据完整性。
芯片的封装尺寸为48-BGA,适合空间受限的设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、工业控制设备和车载系统等领域。
H9DA4VH4JJAMCR-4EM 主要应用于需要大容量非易失性存储的场景,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、数字电视、机顶盒等。该芯片也适用于固态硬盘(SSD)和存储卡等存储设备,能够提供高速的数据读写能力和稳定的数据存储性能。
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