时间：2025/5/15 13:34:21
阅读：17
70V25L20PFGI是一种高功率、高频的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，从而实现高效的功率转换和控制。该型号采用TO-263封装形式，具有较高的耐压能力和良好的散热性能。
这种MOSFET的特点是能够在高电压环境下稳定运行，并且能够承受较大的电流波动。同时，由于其较低的栅极电荷和输出电容，可以显著降低开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：25A
导通电阻：20mΩ
栅极电荷：50nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 高击穿电压：该器件支持高达70V的最大漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 超低导通电阻：仅为20mΩ，可有效减少导通状态下的能量损耗。
3. 快速开关能力：通过优化栅极结构，使得开关速度更快，栅极电荷较小，有助于降低动态损耗。
4. 强大的热管理：采用TO-263封装，提供了优秀的散热路径，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。
5. 宽温范围支持：可以在极端环境条件下使用，适应性较强。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 汽车电子设备中的负载切换
5. 工业自动化控制系统中的功率调节
6. LED照明驱动电路
7. 太阳能逆变器中的功率管理
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06
