70T03GH 时间：2025/12/29 14:04:36 阅读：13

70T03GH是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合于高效率、高功率密度的设计需求。70T03GH通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：125W（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

70T03GH的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.7mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，增强了载流能力并提高了开关速度，从而在高频开关应用中表现出色。其高栅极电压容限（±20V）确保了在各种驱动条件下的稳定工作。
　　70T03GH的封装设计采用TO-252（DPAK）形式，具备良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，提高了焊接可靠性和散热效率。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在严苛的工况下保持稳定运行。
　　此外，70T03GH的快速开关特性使其在DC-DC转换器、电机驱动和同步整流等应用中表现出色，尤其适合对效率和热性能有严格要求的设计。其优异的动态性能也使其成为多相电源和高密度电源模块的理想选择。

应用

70T03GH广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和同步整流电路。其高效的导通特性和良好的热管理能力使其在高性能电源转换系统中具有显著优势，特别是在需要高效率、高功率密度和高可靠性的应用场合，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备和电动车电源系统等。