时间:2025/12/27 14:47:35
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70SHB175是一款高压、高电流的硅雪崩整流二极管,主要用于高功率开关电源、逆变器、工业电机驱动和高压直流电源等应用场合。该器件属于快速恢复二极管类别,具备优异的动态性能和热稳定性,能够在高温、高电压环境下稳定运行。70SHB175的设计注重于在高频率开关条件下减少反向恢复损耗,同时具备较强的抗浪涌电流能力,适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其封装形式通常为TO-247,这种大功率封装有利于良好的散热性能,能够有效降低结温,延长器件使用寿命。此外,该二极管采用先进的平面工艺制造,确保了均匀的电场分布和稳定的击穿特性,从而提升了整体的雪崩耐量和长期可靠性。70SHB175广泛应用于通信电源、焊接设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等领域。作为一款工业级功率器件,它通过了多项国际安全与可靠性认证,符合RoHS环保要求,适用于现代绿色能源和高效能电力转换系统的设计需求。
类型:硅高速整流二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):1700V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):70A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):1500A(单半波,60Hz)
最大正向电压降(VF):2.0V(在70A时)
最大反向漏电流(IR):5mA(在额定VRRM下,Tj=25°C)
反向恢复时间(trr):75ns(典型值)
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
热阻结到外壳(RθJC):1.2°C/W(最大值)
70SHB175的核心特性之一是其卓越的高压阻断能力,最大重复峰值反向电压可达1700V,使其适用于中高压电力电子系统。这一高耐压能力结合高达70A的平均正向整流电流,使得该器件能够在大功率变换器中承担主整流或续流任务。其低正向导通压降(典型值2.0V在70A下)有助于降低导通损耗,提升系统整体效率。此外,该器件具备非常快的反向恢复时间(trr典型值为75ns),这在高频开关应用中至关重要,可显著减少开关过程中的能量损耗,并抑制电磁干扰(EMI)的产生。更进一步地,70SHB175具备优异的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压情况下安全运行而不发生永久性损坏,增强了系统的鲁棒性和安全性。
该器件的热性能同样出色,采用TO-247封装,具有较低的热阻(RθJC ≤ 1.2°C/W),便于通过散热器将热量迅速导出,防止因温升过高导致性能下降或热失效。其宽广的工作结温范围(-55°C 至 +175°C)使其可在极端环境温度下稳定工作,适用于工业、能源和交通等多种严苛应用场景。制造工艺上,70SHB175采用平面扩散技术结合钝化保护层,提高了表面稳定性和长期可靠性。此外,器件经过严格的筛选和测试,确保批次一致性高,适合自动化贴装和大规模生产使用。其抗浪涌电流能力高达1500A(非重复),可在启动或故障瞬间承受大电流冲击,避免意外击穿。综合来看,70SHB175在高压、大电流、高频和高可靠性方面表现优异,是现代高功率密度电源设计中的关键元件之一。
70SHB175广泛应用于各类高功率电力电子设备中,尤其是在需要高效整流和快速恢复特性的场合。常见应用包括工业用大功率开关模式电源(SMPS),特别是在输出整流级中作为主整流二极管使用,能够有效处理高电压和大电流负载。在逆变器系统中,如太阳能光伏逆变器和风力发电变流器,该器件常被用于DC-DC升压电路或输出续流路径,利用其快速恢复特性和低VF优势来提高转换效率并降低热损耗。此外,在不间断电源(UPS)系统中,70SHB175可用于输入整流桥或电池充放电回路,确保系统在市电异常时仍能稳定运行。
在电机驱动领域,尤其是交流变频器和伺服驱动器中,该二极管常作为IGBT模块的配套续流二极管(Freewheeling Diode),用于吸收感性负载产生的反向电动势,保护主开关器件。由于其高达1700V的耐压能力,特别适合600V及以上母线电压系统。焊接设备(如逆变焊机)也大量采用此类高压快恢复二极管,以应对频繁的电流突变和高温工作环境。此外,电动汽车充电桩(特别是直流快充桩)的功率转换模块中也会使用类似规格的器件进行高压整流。其他应用还包括高压直流电源、电镀电源、感应加热装置以及轨道交通中的辅助电源系统等。凭借其高可靠性和耐用性,70SHB175已成为工业级电源设计中的主流选择之一。
FFSH70H170DN-F139
RHRG70170
DSEI70-17A