时间：2025/9/4 1:31:30
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70N20是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要特点是具有较高的漏源电压（Vds）和较大的额定电流，适用于各种高功率和高频率的开关电源、电机控制、DC-DC转换器等应用。这款器件通常采用TO-220或TO-263等封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：70A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：约0.026Ω（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220、TO-263等
70N20的主要特性包括低导通电阻、高耐压、高电流承载能力和快速开关特性。低Rds(on)减少了导通损耗，提高了系统效率；高Vds额定值允许其在高压环境下稳定工作；大额定电流使其适用于高功率应用。此外，该器件具有良好的热性能，能够在较高温度下运行而不影响性能。它的栅极驱动要求较低，通常只需10V左右的栅极电压即可完全导通，这使得它易于与常见的驱动电路配合使用。此外，70N20具有较高的短路耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。
该器件的内部结构采用了先进的平面技术或沟槽技术，以优化导通电阻和开关速度之间的平衡。同时，其封装设计有助于散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
70N20广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制设备以及各种高功率LED驱动电源等。由于其具备高耐压、高电流能力，也常用于电动汽车、充电桩、储能系统等新能源领域的功率控制电路中。
FQA70N20、IRF70N20、STP70NF20、FDP70N20
