70HFR120 时间：2025/12/26 18:39:20 阅读：18

70HFR120是一款高性能的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的功率转换应用设计。该器件由Transphorm公司开发，采用先进的GaN技术制造，具备优异的开关特性与导通性能，适用于如服务器电源、电信整流器、工业电源以及可再生能源系统等对效率和功率密度要求较高的场合。70HFR120通过集成驱动电路和保护功能，实现简化的设计流程并提高系统可靠性。其封装形式为TO-247，便于在现有基于硅的功率模块中进行直接替换，同时支持更高的工作频率，从而减小磁性元件的尺寸与整体系统体积。作为一款增强型（e-mode）常关型GaN晶体管，它在栅极电压控制方面与传统MOSFET兼容，降低了用户在电路设计中的学习成本和技术门槛。此外，该器件还具备低反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复特性，显著减少了开关损耗，提升了系统能效，尤其在硬开关拓扑如图腾柱PFC中表现出色。

参数

型号：70HFR120
　　类型：增强型GaN FET
　　材料：GaN-on-Si
　　封装：TO-247-4L
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　连续漏极电流（Id）：30 A
　　脉冲漏极电流（Id,脉冲）：90 A
　　导通电阻（Rds(on)）：70 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：4.5 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　输入电容（Ciss）：4000 pF
　　输出电容（Coss）：1200 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：≈0 C
　　工作温度范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：0.5°C/W

特性

70HFR120的核心优势在于其采用的增强型GaN HEMT结构，这使得它在正常状态下处于关闭状态，只有当栅极施加足够正电压时才会导通，这一特性极大地提高了系统的安全性与启动可靠性，避免了因误触发导致的短路风险。相较于传统的硅基MOSFET或IGBT，70HFR120具有更低的导通电阻与更优的开关速度，能够在100 kHz以上的高频条件下稳定运行，大幅降低磁性元件和电容的体积与重量，提升整个电源系统的功率密度。
　　该器件具备极低的寄生参数，特别是输出电容（Coss）和反馈电容（Crss）非常小，从而减少了开关过程中的能量损耗，并有效抑制了米勒效应引起的误导通问题。其近乎为零的反向恢复电荷（Qrr）是另一个关键优势，在桥式电路或同步整流应用中，可以彻底消除体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰（EMI），进一步提升系统效率并降低散热需求。
　　70HFR120集成了先进的片上驱动优化设计，支持快速且稳定的栅极充放电，确保在高频开关下仍能保持良好的波形完整性。其TO-247-4L封装提供了独立的开尔文源极（Kelvin Source）连接，将驱动回路与主功率回路分离，显著减小了共源电感对开关性能的影响，从而提升开关速度并减少振荡现象。这种四引脚配置特别适合用于高dv/dt和di/dt环境下的精确控制。
　　在可靠性方面，70HFR120经过严格的质量测试与长期老化验证，符合AEC-Q101标准的部分要求，并具备出色的抗雪崩能力和高温稳定性。器件内部还内置了多种保护机制，包括过温预警、短路保护响应等，配合外部控制器可构建高度可靠的电源系统。此外，其良好的热传导性能结合低功耗特性，使其在连续满载运行下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。

应用

70HFR120广泛应用于各类高效能电力电子系统中，尤其是在需要高电压、高频率和高效率转换的场景中表现突出。典型应用包括数据中心服务器电源、通信基站用AC-DC整流器、光伏逆变器、车载充电机（OBC）、UPS不间断电源以及工业电机驱动等。由于其1200V的耐压能力，特别适合用于单相和三相图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路中，取代传统的硅基超级结MOSFET，实现更高的转换效率和更紧凑的系统设计。
　　在新能源汽车领域，70HFR120可用于车载充电机中的DC-DC变换级，支持双向能量流动，满足快充与能量回馈的需求。同时，其高频工作能力有助于减小变压器和滤波器的体积，提升整车电气系统的集成度。在可再生能源系统如太阳能逆变器中，该器件能够支持更高的MPPT跟踪精度和更低的待机损耗，提高整体发电效率。
　　此外，70HFR120也适用于高频LLC谐振转换器、半桥/全桥拓扑结构以及软开关ZVS/ZCS电路中，凭借其快速开关和低损耗特性，显著提升轻载和满载条件下的效率曲线。在工业自动化设备、医疗电源以及高端消费类电子产品供电模块中，该器件同样展现出卓越的性能优势，成为现代高效电源架构的关键组件之一。