时间：2025/9/20 8:06:16
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6SVPS120M是一款由Vishay Semiconductors生产的高电压、高电流肖特基势垒整流二极管，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有优异的反向电压特性和低正向压降，适用于开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及需要高可靠性和稳定性的工业电源系统中。6SVPS120M属于Vishay PowerXtreme系列的一部分，强调在高温环境下仍能保持出色的性能和可靠性。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热能力，适合通孔安装，广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备和照明电源等领域。
该器件的最大重复反向电压（VRRM）为1200V，能够承受瞬态高压冲击，同时提供高达6A的平均整流输出电流能力，使其在中等功率应用中表现出色。此外，6SVPS120M通过了RoHS合规认证，符合现代环保标准，并可在较宽的温度范围内稳定工作，确保长期运行的可靠性。
型号：6SVPS120M
制造商：Vishay Semiconductors
产品类型：肖特基势垒整流二极管
最大重复反向电压 VRRM：1200 V
最大RMS电压 VRMS：845 V
最大直流阻断电压 VDC：1200 V
最大平均整流输出电流 IO：6 A
峰值非重复正向浪涌电流 IFSM：100 A
正向电压 VF @ 3A：1.55 V（典型值）
最大反向漏电流 IR @ 25°C：1 μA
最大反向漏电流 IR @ 125°C：500 μA
工作结温范围 TJ：-55 至 +175 °C
热阻 RθJC：3.5 °C/W
封装/外壳：TO-220AB
安装类型：通孔
6SVPS120M的核心优势在于其结合了高电压耐受能力和低正向导通损耗，这在传统肖特基二极管中较为罕见，因为大多数肖特基器件受限于较低的反向击穿电压。然而，得益于Vishay先进的半导体工艺优化，该器件成功实现了1200V的高VRRM，同时维持相对较低的VF值，在3A条件下典型值仅为1.55V，显著降低了导通期间的功率损耗，提高了整体系统效率。这种高效能表现对于追求节能和小型化的现代电源设计至关重要。
另一个关键特性是其卓越的热稳定性与高温操作能力。器件的工作结温最高可达+175°C，远高于一般商用二极管的+150°C限制，这意味着即使在恶劣的高温环境中，如封闭式电源模块或高温工业环境，6SVPS120M依然能够可靠运行而不会发生性能退化或早期失效。同时，其较低的热阻RθJC（3.5°C/W）确保热量能有效从PN结传导至散热器，从而延长器件寿命并提升系统安全性。
该器件还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），使其在面对输入端突波或开机冲击电流时具备更强的鲁棒性。这一特性特别适用于电网波动较大或存在频繁启停的应用场景。此外，极低的反向漏电流（25°C时最大1μA，125°C时500μA）有助于减少待机功耗，满足能源效率标准要求，如Energy Star或DoE Level VI规范。
由于采用标准TO-220AB封装，6SVPS120M不仅便于手工焊接与自动化装配，还可方便地加装散热片以进一步增强散热效果。其通孔安装方式也增强了机械稳固性，适合震动或移动环境中使用。总体而言，6SVPS120M是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的高压肖特基整流器，代表了当前中功率整流器件的技术先进水平。
6SVPS120M广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括工业级AC-DC电源适配器、服务器电源单元、电信基站电源模块以及LED驱动电源。由于其高达1200V的反向耐压能力，它常被用于PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管，配合Boost拓扑结构实现高效的能量转换与电网谐波抑制。
在太阳能逆变器系统中，6SVPS120M可用于直流侧的防反接保护或作为旁路整流元件，利用其快速恢复特性和低VF优势降低能量损耗，提高发电效率。此外，在UPS（不间断电源）和逆变器设备中，该器件可用于高频整流或续流路径，保障系统在市电中断时平稳切换至备用电源。
在电机驱动和变频控制系统中，6SVPS120M也可作为钳位二极管使用，吸收感性负载产生的反电动势，防止电压尖峰损坏主开关器件（如IGBT或MOSFET）。其高浪涌承受能力在此类应用中尤为重要。
另外，由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，6SVPS120M也被广泛应用于户外照明电源、充电桩辅助电源、医疗设备电源等对安全性和稳定性要求较高的领域。
STTH6S120, STTH6R120, MUR6120CT, FFPF60U120S
