型号：6NM90
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900 V
　　最大漏极电流（ID）：6.0 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：24 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大漏源导通电阻（RDS(on)）：1.1 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（Vth）：4.0 V ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：180 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值未指定，适用于非连续导通模式应用
　　功耗（PD）：125 W（带散热器）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP、TO-247

6NM90的核心特性在于其高压耐受能力与出色的开关性能之间的良好平衡。该器件的最大漏源电压高达900V，使其能够在高输入电压环境下稳定运行，尤其适合用于离线式反激变换器、PFC升压电路以及高压DC-DC转换器中。这种高电压额定值不仅提升了系统的安全裕度，还能有效应对电网波动和瞬态过压情况，从而提高整个电源系统的可靠性。
　　该MOSFET采用了英飞凌专有的Superjunction（超级结）结构技术——SG3工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻，实现了1.1Ω的低RDS(on)值。这使得在导通状态下能量损耗大幅减少，有助于提升电源效率并降低温升。同时，较低的RDS(on)也意味着可以在相同功率等级下减小散热器尺寸，有利于实现紧凑型电源设计。
　　在动态特性方面，6NM90具有适中的输入和输出电容值，Ciss约为1100pF，Coss约为180pF，这些参数保证了较快的开关速度，同时避免了因寄生电容过大导致的驱动负担加重问题。器件的栅极电荷（Qg）相对较低，典型值在几十纳库仑级别，这意味着它可以被标准PWM控制器轻松驱动，无需复杂的栅极驱动电路，从而降低了整体系统成本。
　　热性能方面，6NM90可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，具备优良的热稳定性。其封装形式如TO-247提供了良好的热传导路径，便于通过外部散热器将热量迅速导出，确保长时间高负载运行时的安全性。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在短时过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，进一步增强了系统的鲁棒性。
　　6NM90还符合国际环保标准，无铅且符合RoHS指令要求，适用于工业、消费类及商用电源产品。其高度集成的设计理念减少了外围元件数量，提高了系统可靠性。总之，6NM90凭借其高压、高效、高可靠性的综合优势，成为众多中高端电源应用中的理想选择。

6NM90广泛应用于各类需要高压功率开关的电力电子系统中。最常见的应用场景是开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC离线式反激变换器中，作为主开关管使用。这类电源常见于电视、显示器、打印机、路由器等家用电器和办公设备的电源适配器中。得益于其900V的高耐压能力，6NM90可以适应全球范围内的交流输入电压（90V~264V AC），并具备足够的电压裕量以应对雷击浪涌和线路瞬变。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，6NM90也常被用作升压斩波器的开关器件。PFC电路旨在提高电源的输入功率因数，减少谐波污染，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容标准。在此类应用中，6NM90的低导通电阻和快速开关特性有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提升PFC级的整体效率。
　　此外，该器件还适用于LED照明驱动电源，特别是大功率LED路灯、工业照明灯具等需要恒流输出和高效率转换的场合。在这些应用中，6NM90可用于隔离式反激或正激拓扑结构中，实现从交流电网到直流恒流输出的高效转换。
　　工业控制领域也是6NM90的重要应用方向，包括不间断电源（UPS）、逆变器、小型电机驱动电源模块等。在这些系统中，6NM90承担着关键的能量转换任务，其高可靠性和长期稳定性至关重要。
　　由于其良好的热管理和电气性能，6NM90也可用于电池充电器、医疗设备电源、通信电源等对安全性要求较高的场合。总体而言，凡是涉及中等功率等级（100W~500W）、高电压输入、高效率要求的应用，6NM90都是一个非常合适的选择。

IKW60N90C3
　　STW6NK90Z
　　IPW60R900CP
　　FQA6N90