时间：2025/12/27 7:30:11
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6N60L-TM3-T是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装。该器件专为高效率开关电源应用而设计，具有600V的漏源击穿电压和较低的导通电阻，适用于需要高电压操作和良好热性能的功率转换系统。该MOSFET利用先进的平面栅极技术制造，确保了在高电压条件下仍具备稳定的开关特性和良好的可靠性。由于其优异的动态性能和坚固的结构设计，6N60L-TM3-T广泛应用于AC-DC转换器、离线式开关电源、适配器、充电器以及LED照明驱动电源等场景。该器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品的需求。此外，TO-252封装提供了良好的散热能力，便于在紧凑型电源设计中实现高效的热管理。6N60L-TM3-T在待机功耗优化方面表现出色，有助于满足日益严格的能效标准，如能源之星和欧盟CoC规范。
型号：6N60L-TM3-T
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
漏源电压(VDS)：600V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：2.0A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：8.0A
导通电阻(RDS(on))：4.5Ω @ VGS=10V, ID=1.0A
阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=25V
输出电容(Coss)：110pF @ VDS=25V
反向恢复时间(trr)：34ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
功率耗散(PD)：50W（带散热片）
栅极电荷(Qg)：20nC @ VGS=10V
6N60L-TM3-T采用了先进的平面栅极MOSFET工艺，使其在600V高电压应用中表现出卓越的开关性能与可靠性。其低导通电阻RDS(on)仅为4.5Ω（在VGS=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源系统的转换效率。该器件的栅极电荷Qg低至20nC，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较小，有助于降低控制器的负担并减少开关损耗。同时，其输入电容Ciss为450pF，输出电容Coss为110pF，在高频工作条件下表现出良好的动态响应特性，适用于高达数十kHz甚至更高的开关频率环境。
该MOSFET具备较高的热稳定性，最大结温可达+150°C，结合TO-252封装良好的热传导性能，可在较宽的环境温度范围内稳定运行。其反向恢复时间trr为34ns，表明体二极管具有较快的恢复速度，有助于减少在桥式或续流电路中的反向恢复损耗，提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。此外，该器件的阈值电压VGS(th)典型值为3V左右，兼容常见的PWM控制IC输出逻辑电平，便于直接驱动，无需额外的电平转换电路。
6N60L-TM3-T还具备出色的雪崩耐受能力和dv/dt抗扰度，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，增强了系统鲁棒性。其符合工业级可靠性标准，经过严格的老化测试和高温反向偏压（HTRB）验证，确保长期运行的稳定性。TO-252封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴装工艺，适合大规模生产。该器件无卤素且符合RoHS指令，适用于消费类电子、工业电源及照明等多种绿色环保产品设计。
6N60L-TM3-T广泛应用于各类中低功率开关模式电源系统中，尤其适合需要600V耐压等级的离线式AC-DC转换器设计。典型应用场景包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD电视电源、家用电器内置电源模块以及LED恒流驱动电源。在反激式（Flyback）拓扑结构中，该MOSFET常作为主开关管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升电源效率并降低温升。此外，它也可用于有源钳位、PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC变换器中的高压侧开关元件。
在LED照明领域，6N60L-TM3-T可用于构建高效隔离型或非隔离型LED驱动电路，满足节能和长寿命的设计需求。其良好的热性能使其在密闭灯具或高温环境中依然保持可靠工作。在工业控制设备中，该器件可用于小型PLC电源、传感器供电模块或电机控制板上的辅助电源部分。由于其具备较强的抗浪涌能力，也适用于电网波动较大的地区使用的电源产品。
此外，6N60L-TM3-T还可用于UPS不间断电源、智能电表电源模块、物联网设备供电单元等对可靠性要求较高的场合。其标准化封装便于替换和维护，有利于产品升级和兼容性设计。随着全球对能效标准的不断提高，该MOSFET因其优异的静态与动态参数组合，成为许多设计师在成本与性能之间寻求平衡的理想选择。
STP6NK60ZFP
FQP6N60L
KSC2700YBU
