时间：2025/6/30 14:03:18
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CDR31BP200BJZMAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术。该芯片设计用于高效率开关应用，具有较低的导通电阻和优化的开关性能，适合在工业、汽车和消费电子领域中使用。
该器件通过先进的制程工艺实现了低功耗和高可靠性，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等场景。
型号：CDR31BP200BJZMAT
封装：TO-263 (D2PAK)
VDS（漏源极击穿电压）：200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：85mΩ
ID（连续漏电流）：7.9A
Qg（总栅极电荷）：14nC
EAS（雪崩能量）：245mJ
fT（特征频率）：1.7MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CDR31BP200BJZMAT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，VDS 可达 200V，适用于高压环境下的开关操作。
2. 极低的导通电阻 RDS(on)，减少导通损耗，提高整体效率。
3. 总栅极电荷 Qg 较小，能够快速开关，降低开关损耗。
4. 集成了雪崩保护功能，能够承受一定的反向浪涌电流，提升可靠性。
5. 工作温度范围广，适应恶劣环境需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代产品要求。
7. 采用 TO-263 封装，便于散热并简化电路板布局。
CDR31BP200BJZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器，特别是在降压或升压拓扑中。
3. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 家用电器中的电源管理和高效能电路设计。
6. 工业设备中的逆变器和变频器应用。
CDR31BP200BZMAT, FDP140N20AE, IRF640NPbF
