6N136320E 时间：2025/9/15 10:11:15 阅读：15

6N136320E 是一款高性能的光耦合器（光电耦合器），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。它主要用于实现电气隔离，同时在数字和模拟信号传输中提供高效、稳定的性能。6N136320E 采用了高精度的光敏达林顿晶体管接收器和高效率的发光二极管（LED）作为发射器，能够在各种工业自动化和电力电子系统中提供可靠的信号隔离功能。

参数

类型：光耦合器 - 逻辑输出
　　电流传输比（CTR）：500% 至 600%（最小）
　　输入电流（IF）：最大 60 mA
　　输出电压（VCEO）：最大 5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　封装类型：8引脚 DIP
　　隔离电压：5000 VRMS
　　响应时间：典型值 2 μs（上升时间）/ 2 μs（下降时间）

特性

6N136320E 的核心特性之一是其高电流传输比（CTR），这使得该器件能够在较低的输入电流下驱动输出电路，从而提高系统的能效并减少功耗。此外，该光耦合器的隔离电压高达5000 VRMS，确保了在高压环境下的安全性和可靠性。
　　其达林顿晶体管输出结构提供了较高的输出电流能力，适合用于驱动负载较大的电路。6N136320E 还具有快速的响应时间，典型值为2微秒，能够满足高速信号传输的需求。该器件的工作温度范围较宽（-40°C 至 +100°C），适用于工业环境下的各种苛刻条件。
　　6N136320E 采用8引脚 DIP 封装，便于安装和焊接，广泛应用于印刷电路板（PCB）设计中。该器件的封装设计也确保了良好的电气隔离性能和机械稳定性。

应用

6N136320E 主要用于需要电气隔离的场合，例如工业自动化控制系统、电机驱动电路、电源管理模块以及各种测量和监测设备。在工业自动化系统中，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）和变频器中的信号隔离，以防止高电压或高电流对控制系统造成干扰或损坏。
　　此外，6N136320E 还可用于通信设备中的信号传输隔离，确保数据传输的稳定性和安全性。在电源管理系统中，它可以用来隔离主电路与控制电路，保护敏感的控制电路免受高电压或高电流的影响。