6FR20 时间：2025/12/26 20:44:08 阅读：12

6FR20是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽式场栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优良的热稳定性等特点，能够在较高的电压和电流条件下实现高效能的功率控制。6FR20适用于需要紧凑设计和高可靠性的电子系统，尤其适合便携式设备和工业控制设备中的电源模块。其封装形式为SOP-8（表面贴装小型封装），便于自动化生产和PCB布局优化，同时具备良好的散热性能。

参数

型号：6FR20
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：7.3A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：29A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)：20mΩ @ VGS=10V, ID=3.6A
　　导通电阻RDS(on)：25mΩ @ VGS=4.5V, ID=3.6A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1020pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：340pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或极短
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

6FR20采用ROHM专有的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，使其在低电压大电流的应用中表现出色。该器件在VGS=10V时RDS(on)仅为20mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到25mΩ，表明其在逻辑电平驱动下仍能保持高效的导通能力，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的场合。这种低导通损耗显著降低了功率转换过程中的能量损耗，提高了整体系统效率，并减少了对散热结构的依赖。
　　器件的输入电容为1020pF，输出电容为340pF，属于中等水平，有助于在高频开关应用中实现快速响应的同时避免过大的驱动电流需求。此外，6FR20的最大连续漏极电流可达7.3A，脉冲电流高达29A，适合应对瞬态负载变化较大的应用场景，如电机启动或突发性电源切换。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，保证了在极端环境温度下的稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　SOP-8封装不仅节省空间，还通过外露焊盘设计提升了散热性能，允许将热量有效地传导至PCB地层，从而延长器件寿命并提升功率密度。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其出色的电气性能和物理特性，6FR20常被用于同步整流、电池供电设备、DC-DC降压变换器、LED驱动电源以及各类负载开关电路中，是中小功率电源设计的理想选择之一。

应用

6FR20主要应用于需要高效低电压功率开关的电子系统，典型使用场景包括移动设备的电源管理模块、笔记本电脑和平板电脑中的DC-DC转换器、USB供电电路、电池充放电保护电路、LED背光驱动以及工业控制中的小型电机驱动器。此外，它也广泛用于通信设备、智能家居控制器和便携式医疗仪器中的电源开关部分。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻低，特别适合用于同步整流拓扑结构中作为下管或上管使用，以替代传统肖特基二极管，从而提高转换效率并降低温升。在多相并联电源设计中，多个6FR20可并联使用以分担电流，进一步提升系统功率容量与可靠性。