6EDL04N06PT家族-第二代是全桥驱动器,用于控制三相系统中的mos晶体管或igbt等功率器件,最大阻塞电压为+600 V。所采用的soi技术对暂态电压具有良好的坚固性。该器件中不存在寄生晶闸管结构。因此,在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。六个独立的驱动器被控制在低侧使用CMOS响应。LSTTL兼容信号,低至3.3 V逻辑。
该装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测。过流电平是通过选择电阻值和引脚ITRIP的阈值电平来调整的。这两种错误条件(欠压和过流)导致所有6个开关明确关闭。在FAULT开漏输出引脚处提供一个错误信号。过流后的阻塞时间可通过引脚RCIN上的rc网络进行调整。输入RCIN拥有一个2.8μA的内部电流源。因此,电阻RRCIN是可选的。
英飞凌薄膜soi技术
最大阻塞电压+ 600v
输出源/汇电流+0.165 A/-0.375 A
集成超快速、低RDS(ON)引导二极管
电桥输出对负不敏感
soittechnology提供的瞬态电压可达- 50v
六个驱动器都有独立的控制电路
过流、欠压检测
外部可编程延迟故障清除后
过电流检测
“关闭”错误条件下的所有开关
CMOS和LSTTL兼容输入(负逻辑)
●各相信号联锁,防止交叉传导
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商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌) |
封装 | PG-TSSOP-28 | 包装 | 圆盘 |
6EDL04N06PT原理图
6EDL04N06PT引脚图
6EDL04N06PT封装