时间：2025/8/9 14:15:22
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6DI75A-060是一款由Diodes Incorporated生产的双路N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽工艺，具有低导通电阻和高功率密度，适用于需要高效能、高可靠性的电源管理应用。该器件封装为DFN2020-6，尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用。
类型：MOSFET（双路N沟道）
漏源电压(VDS)：60V
连续漏极电流(ID)：7.5A（单通道）
导通电阻(RDS(ON))：88mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg)：14nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN2020-6
6DI75A-060 MOSFET具备多项优异特性，确保其在各类电源应用中的稳定与高效表现。首先，其低导通电阻（88mΩ）显著降低了导通损耗，提升了系统效率。其次，双路N沟道MOSFET设计允许在同一封装中实现两个独立的开关通道，简化了电路布局并减少了元件数量，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理等应用。此外，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，进一步优化了RDS(ON)和开关性能，同时具备良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下可靠运行。封装采用DFN2020-6形式，具有良好的散热性能，且符合RoHS环保标准，适用于自动化装配流程。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如4.5V至12V），适用于多种控制电路环境。其高耐压（60V）能力也使其在应对电压瞬态或浪涌时更具鲁棒性，适用于工业控制、通信电源、便携式设备等对可靠性要求较高的场景。
6DI75A-060广泛应用于多种电源管理及功率控制领域。常见使用场景包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池充电管理、LED驱动电路、便携式电子设备电源模块以及工业自动化控制系统。其小尺寸封装和高性能特性使其成为空间受限且需要高效功率控制的设计中的理想选择。
AO4406A, Si3442DV, IPD70P03P4-03
