6DI15S-050D 时间：2025/8/9 19:03:38 阅读：24

6DI15S-050D 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等。6DI15S-050D采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和紧凑设计的电路。该器件通常采用DPAK（TO-252）封装，具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：50V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大50mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

特性

6DI15S-050D 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件的最大导通电阻为50mΩ，当栅极电压为10V时，能够支持高达15A的漏极电流。这种低电阻特性使其非常适合用于高电流、高效率的电源转换器设计。
　　此外，6DI15S-050D具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其DPAK封装提供了较大的散热面积，有助于有效地将热量从芯片传导至PCB板，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　该MOSFET还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，使得在开关过程中所需的驱动功率较小，进一步降低了开关损耗，提升了系统的整体能效。
　　6DI15S-050D还具备较强的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下（如过电压或瞬态电压冲击）提供一定程度的保护，从而增强系统的稳定性和安全性。

应用

6DI15S-050D广泛应用于各种电源管理与转换系统中，尤其是在需要高效率和大电流能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动工具、电动自行车等）、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。
　　由于其低导通电阻和高电流处理能力，6DI15S-050D也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统、LED照明驱动等应用。此外，该器件还可用于服务器电源、电信设备电源模块以及消费类电子产品中的高效能电源管理电路。