6DI15A050 时间：2025/8/9 2:58:38 阅读：26

6DI15A050是一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT），广泛应用于高功率电子设备中。作为功率半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗特性和双极型晶体管（BJT）的低导通压降特性，使其在高电压和高电流应用中表现出色。6DI15A050专为高效能、高可靠性的开关应用而设计，常用于变频器、电机控制、电源转换和工业自动化系统中。

参数

集电极-发射极电压(Vce)：600V
　　集电极电流(Ic)：15A
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极-发射极电压(Vge)：±20V
　　短路耐受能力：有
　　导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值）
　　功耗(Ptot)：125W
　　热阻(Rth)：1.2°C/W

特性

6DI15A050具备良好的导通和开关性能，适合高频率和高功率密度的设计需求。其TO-247封装提供了优良的散热能力和机械稳定性，适用于恶劣的工业环境。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。6DI15A050的栅极驱动设计简单，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计和集成过程。其低导通压降和快速开关特性有助于降低能耗，提高系统整体效率。