型号：6CE470EX
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：35A
　　脉冲漏极电流（IDM）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V（典型值）
　　最大栅源电压（VGS(max)）：+6.5V / -4V
　　输入电容（Ciss）：1.55nF
　　输出电容（Coss）：550pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA 5.0mm x 3.5mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）

6CE470EX的核心优势在于其基于氮化镓材料的高性能表现。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有比硅更高的电子迁移率和临界电场强度，使得该器件能够在更高的电压下实现更低的导通损耗和更快的开关速度。这直接提升了电源系统的转换效率，尤其是在高频操作条件下，能够显著减小磁性元件和电容的体积，从而实现更高功率密度的设计。
　　该器件的增强型结构意味着其在零栅压下自然关断，提高了系统的安全性和易用性，尤其适合替代传统硅MOSFET的应用场景。由于没有体二极管，6CE470EX在反向导通时依赖于沟道的双向导电能力，这虽然避免了反向恢复电荷带来的损耗，但也对同步整流控制策略提出了更高要求。
　　低至4.7mΩ的导通电阻大幅降低了导通期间的I2R损耗，使其在大电流应用中表现出色。同时，器件的寄生参数（如输入/输出电容和引线电感）被优化到极低水平，有助于减少开关过程中的电压过冲和振荡，提升系统EMI性能。
　　封装方面，LGA形式不仅提供了良好的热传导路径，还通过缩短内部连接线减少了寄生电感，进一步支持高频高效运行。然而，由于氮化镓器件对静电和过压较为敏感，设计时必须严格遵守栅极驱动电压限制，并建议使用专用的eGaN驱动IC或带有负关断偏置的驱动电路以提高可靠性。
　　此外，6CE470EX支持并联使用以扩展电流处理能力，但由于氮化镓器件的正温度系数较弱，需特别注意均流设计和热分布均匀性，避免局部过热导致失效。总体而言，该器件代表了当前功率半导体技术的先进水平，适用于追求极致效率和小型化的现代电力电子系统。

6CE470EX广泛应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用场景包括高频率DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备和工业电源中用于中间总线转换（IBA）或负载点（POL）供电。其快速开关能力也使其成为射频包络跟踪电源的理想选择，可动态调节射频功放的供电电压以提升整体能效。
　　在激光驱动系统中，6CE470EX可用于构建纳秒级脉冲电流源，满足高精度、高速激光调制的需求。此外，在无线充电系统尤其是高功率场合（如电动汽车无线充电或消费类快充），该器件能够支持MHz级谐振拓扑，提高能量传输效率并缩小线圈尺寸。
　　该器件还可用于高端电机驱动，如无人机或电动工具中的小型BLDC驱动器，利用其高频特性实现更精细的电流控制和更高的响应速度。在太阳能微型逆变器和储能系统中，6CE470EX也有潜力用于提升逆变效率。
　　测试与测量设备、医疗成像电源以及LED视频墙驱动等对噪声和响应速度敏感的应用，也能从其低损耗、高稳定性的特点中受益。随着氮化镓生态系统日益成熟，6CE470EX正逐步取代传统硅器件，推动电力电子系统向更高效、更紧凑的方向发展。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG5200