6823D 时间：2025/8/11 2:11:53 阅读：13

6823D 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能和高可靠性的应用设计，常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。6823D 采用先进的技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和优异的热性能，适合在高温环境下工作。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：95A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工艺技术：STripFET F7

特性

6823D 具备多项显著特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高电流应用中，这种特性尤为重要，因为它有助于减少发热，提高可靠性。
　　其次，6823D 的高电流处理能力（高达 95A）使其适用于高功率密度的设计，如服务器电源、DC-DC 转换器以及电机驱动器。此外，该器件采用了 STMicroelectronics 的 STripFET F7 工艺技术，进一步优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，从而提升了高频应用中的性能。