时间：2025/12/27 17:37:44
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68000-112HLF是一款由Vishay Semiconductors生产的红外发射二极管（IR Emitter），专为高效率的红外光发射应用设计。该器件采用表面贴装封装技术，具有紧凑的尺寸和优异的热稳定性，适用于多种需要红外光源的电子系统。其核心功能是将电能高效转化为特定波长范围内的红外光辐射，广泛用于光耦合器、红外遥控、光电传感以及工业自动化等场景。68000-112HLF在设计上优化了光输出强度与正向电压之间的平衡，能够在较低的驱动电流下实现较高的辐射功率，从而提升系统的能效并延长使用寿命。该器件的工作波长典型值位于近红外区域，通常接近940nm，适合与多种硅基光电探测器匹配使用，确保良好的信号接收性能。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
制造商：Vishay Semiconductors
产品类型：红外发射二极管
封装/外壳：Surface Mount, 2-Pin ChipLED
波长类型：Peak
峰值波长：940 nm
正向电压：1.35 V（典型值）
正向电流：100 mA（最大连续工作电流）
反向电压：5 V
功率耗散：150 mW
工作温度范围：-40°C ~ +100°C
存储温度范围：-40°C ~ +100°C
视角：±20°
发光强度：20 mW/sr（典型值，@100mA）
上升时间：100 ns
下降时间：100 ns
68000-112HLF红外发射二极管具备出色的光电转换效率和稳定的光输出特性，在各种环境条件下均能保持一致的性能表现。该器件采用了先进的InGaAsP/InP材料体系，使其在940nm波长附近具有高峰值发射强度，这一波段恰好与大多数硅基光电二极管和光电晶体管的响应灵敏度曲线高度匹配，从而实现高效的光电耦合或信号传输。其表面贴装的小型化封装不仅节省PCB空间，还支持自动化高速贴片工艺，有利于大规模生产。
该器件具有低正向电压降（典型1.35V），可在低功耗系统中减少能量损耗，同时支持高达100mA的连续正向电流，确保在需要高亮度输出的应用中仍能稳定运行。热阻设计优良，结合合理的散热布局可有效控制结温上升，防止因过热导致的光衰现象。此外，68000-112HLF拥有较窄的发射角度（±20°），有助于集中光束能量，提高信噪比，特别适用于定向检测或长距离感应场合。
器件的快速开关响应能力（上升/下降时间均为100ns）使其非常适合用于脉冲调制式红外通信系统，如红外遥控编码传输或数据隔离接口。其坚固的结构设计和可靠的封装工艺也赋予其良好的抗湿性和机械耐久性，适合在工业级温度范围内长期工作。所有制造过程遵循严格的品质控制标准，并通过AEC-Q101等可靠性认证，确保在严苛环境下依然稳定可靠。
68000-112HLF广泛应用于需要稳定红外光源的各种电子设备中。常见用途包括光电耦合器中的发射端组件，用于实现电气隔离与信号传输；在红外遥控器中作为发射元件，发送经过调制的控制指令；在自动感应系统如自动水龙头、干手机、安防报警装置中作为主动式红外探测光源；还可用于工业领域的物体检测、位置传感、转速测量等光电开关电路。
此外，该器件也适用于消费类电子产品中的接近传感器模块，例如智能手机或平板电脑中用于检测用户是否将设备贴近耳朵以关闭屏幕；在烟雾探测器中作为光源部分，配合接收器判断空气中颗粒物浓度；也可集成于医疗设备中的非接触式监测系统，如血氧仪或呼吸频率检测装置。由于其高可靠性和一致性，该型号也被广泛用于汽车电子系统中的舱内监控或手势识别模块。
VSMB2943X01
TCMT1100
L-53F3BT-87-TR
