型号：672D106H100CD2C
　　制造商：American Technical Ceramics (ATC)
　　电容值：10 μF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：672（0.060" x 0.070"）
　　端接类型：镀镍/锡
　　品质因数（Q）：≥1,000 @ 1 MHz
　　等效串联电阻（ESR）：<10 mΩ @ 1 MHz
　　绝缘电阻：≥100 GΩ

ATC 672D106H100CD2C 电容器的核心优势在于其采用 C0G（也称为 NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料具备极佳的温度稳定性和时间稳定性，确保在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内电容值变化不超过 ±30 ppm/°C，几乎不受温度波动的影响。此外，该电容器的介电损耗极低，典型耗散因子（DF）小于 0.1%，使其非常适合用于高频谐振电路和精密模拟信号处理场合。其高品质因数（Q ≥ 1,000 @ 1 MHz）意味着能量损耗非常小，在射频功率传输过程中能有效减少发热并提高系统效率。该器件还表现出优异的电压系数表现，即使在接近额定电压下运行，电容值也不会发生明显下降，这对于需要线性响应的应用至关重要。
　　结构上，672D106H100CD2C 采用先进的多层叠片工艺制造，内部电极使用贵金属材料（如银钯合金），不仅增强了导电性，还提高了抗迁移能力和焊接可靠性。外层端子经过镍锡电镀处理，兼容标准回流焊工艺，同时具备良好的防潮和抗氧化性能，适合自动化贴装生产线。该电容器具有极低的等效串联电感（ESL），通常低于 0.2 nH，使其在 GHz 频段仍能保持接近理想的电容行为，显著优于普通商业级 MLCC。这种低寄生效应特性使其成为微波集成电路（MMIC）、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和低噪声放大器（LNA）中的首选元件。
　　另一个重要特点是其长期可靠性与老化稳定性。由于 C0G 介质不发生铁电相变，因此不存在老化现象（即电容值不会随时间推移而衰减），使用寿命可达数十年，特别适合部署在无法轻易维护或更换组件的高端工业与军事系统中。此外，该器件通过了严格的环境测试认证，包括高温高湿偏置测试（THB）、热冲击循环和机械振动试验，确保在极端条件下仍能稳定运行。综上所述，672D106H100CD2C 凭借其卓越的电气性能、物理稳定性和环境适应能力，成为高性能射频设计中不可或缺的关键元件。

672D106H100CD2C 多层陶瓷电容器主要应用于对频率稳定性和信号完整性要求极高的射频与微波电子系统中。它广泛用于军用雷达系统、卫星通信前端模块、电子战设备以及航空航天电子装置，这些应用场景通常需要元器件在极端温度、高湿度和强烈振动环境下依然保持精准的电气性能。在民用领域，该电容器常被集成于高端测试与测量仪器，如网络分析仪、频谱仪和信号发生器中，用于构建高Q值滤波器、谐振回路和阻抗匹配网络，以确保测试结果的准确性和重复性。
　　在无线通信基础设施方面，672D106H100CD2C 被用于基站收发信机（BTS）中的双工器、预选滤波器和功率放大器输出匹配电路，帮助提升发射效率并降低互调失真。其低 ESR 和 ESL 特性有助于减少功率损耗和热积累，从而延长设备寿命并提高整体系统可靠性。此外，在高速数字系统中，尽管该器件并非主要用于电源去耦，但在某些敏感时钟路径或参考电压旁路节点中，也可作为超高稳定性的小容量旁路电容使用，以抑制高频噪声干扰，保障时序精度。
　　该电容器还常见于精密模拟电路设计，例如低相位噪声振荡器（如 OCXO、TCXO 内部补偿电路）、高分辨率数据转换器（ADC/DAC）的参考电压滤波部分，以及医疗成像设备中的射频激励源。在这些应用中，任何微小的电容漂移或相位抖动都可能导致系统性能下降，因此必须选用像 672D106H100CD2C 这样具备超高稳定性和低损耗特性的元件。总之，凡是涉及高频、高稳、低噪和长寿命要求的电子系统，都是该电容器的理想应用领域。

ATC 600S106H100CD2C
　　AVX SRP Series 106H100C
　　Kyocera AVX 672D106K100CT1Y