型号：64WR100
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：64 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：256 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：10 mΩ（@ Vgs = 10 V, Id = 32 A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：6000 pF（@ Vds = 50 V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（Pd）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装/温度：TO-247

64WR100具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on)，仅为10 mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效，特别适用于大电流、高频率的开关电源设计。器件采用先进的沟槽式结构和平面工艺优化，实现了优异的载流子迁移率和电流分布均匀性，从而在保持低Rds(on)的同时也确保了良好的可靠性。其高达64A的连续漏极电流能力使其能够应对严苛的负载条件，而256A的脉冲电流额定值则为瞬态负载或启动冲击提供了足够的安全裕量。
　　此外，64WR100具有良好的栅极电荷（Qg）特性，总栅极电荷典型值约为180 nC（@ Vds = 80 V, Vgs = 10 V, Id = 32 A），这有助于降低驱动电路的功耗并加快开关速度。较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也有助于减少开关过程中的能量损耗，提高转换效率。该器件还具备较强的抗雪崩能力，经过设计优化可在非钳位感性负载开关过程中承受一定的重复雪崩能量，增强了系统在异常工况下的耐受性。
　　从热管理角度看，TO-247封装提供了较大的散热面积和较低的热阻（Rth(j-c) ≈ 0.625°C/W），便于通过散热片有效传导热量，使器件能够在高环境温度下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。同时，该MOSFET具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少了误触发的风险。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约35ns），可有效减少反向恢复损耗，避免产生过多的电磁干扰（EMI），这对于桥式拓扑结构尤为重要。综合来看，64WR100是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、功率密度和长期稳定性有较高要求的设计。

64WR100广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、低损耗开关元件的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其中该器件可用于同步整流或主开关拓扑，显著降低导通损耗。在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）、升压（Boost）及双向转换器中，64WR100凭借其低Rds(on)和快速开关特性，能够实现高转换效率和紧凑的电路设计。此外，该器件也适用于电机驱动系统，例如工业电机控制、电动工具和风扇驱动，其高电流承载能力和良好的热性能确保在持续负载下稳定运行。
　　在新能源领域，64WR100可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换环节，承担直流侧开关功能。其抗雪崩能力和高dv/dt耐受性有助于提升系统在电网波动或负载突变时的可靠性。在电动汽车充电设备（如车载充电机OBC或充电桩内部电源模块）中，该MOSFET同样表现出色。此外，它还可用于UPS不间断电源、焊接设备、感应加热装置等高功率密度应用。由于其符合RoHS标准且具备良好的长期可靠性，64WR100也被广泛用于工业自动化、医疗电源和测试测量设备中，作为关键的功率开关元件。总之，凡是对效率、散热性能和系统鲁棒性有较高要求的电力电子系统，均可考虑采用64WR100作为核心功率器件。