类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：10V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ
　　功率耗散（Pd）：2W
　　封装类型：SOP
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

2SK3513-01L MOSFET具有多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为32mΩ，可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其次，该器件支持高达6A的连续漏极电流，适用于需要较高电流承载能力的场景。
　　此外，2SK3513-01L采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。其最大漏源电压为20V，栅源电压为10V，确保在多种工作条件下稳定运行。
　　该MOSFET采用SOP封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的高密度电路设计。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，能够在广泛的环境条件下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
　　2SK3513-01L还具备较高的热稳定性，能够在高负载条件下长时间运行而不出现性能下降。这使其成为电源管理、电池供电设备、电机控制和负载开关等应用的理想选择。

2SK3513-01L MOSFET广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。其高频开关能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率和紧凑设计的系统中。此外，该器件也适用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源控制部分。

2SK3513-01L的替代型号包括Si2302DS和AO3400A，这些MOSFET具有类似的电气特性和封装形式，可以在设计中提供兼容的性能表现。