晶体管类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装形式：TO-92
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

635-45晶体管的主要特性包括其优异的高频性能和稳定的电流增益。由于其fT（过渡频率）达到100MHz，该晶体管非常适合用于高频放大和射频应用。此外，该器件具有较低的噪声系数，使其在信号放大过程中能够保持较高的信噪比。635-45的hFE（电流增益）范围广泛，从110到800，允许设计者根据具体需求选择合适的增益等级，从而优化电路性能。该晶体管的封装形式为TO-92，这种小型封装不仅节省空间，而且具有良好的散热能力，适合在紧凑型电子设备中使用。此外，它的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于多种环境条件。
　　在电气特性方面，635-45具有较低的基极-发射极饱和电压（VBE(sat)），这有助于减少在开关应用中的功耗并提高效率。同时，其集电极-发射极击穿电压（VCEO）为30V，允许在中等电压环境下安全运行。晶体管的制造工艺采用了先进的双极型技术，确保了器件在高速开关和放大应用中的可靠性和一致性。

635-45晶体管广泛应用于射频放大器、高速开关电路、音频放大器前置级、逻辑电平转换电路以及各类通信设备。由于其高频性能和低噪声特性，它常用于无线通信系统中的信号放大和调制解调电路。此外，在数字电路中，该晶体管可用作高速开关元件，适用于需要快速响应的应用，如电源管理电路、驱动电路和传感器接口电路。635-45还适用于测试设备、工业控制系统和消费类电子产品中的信号处理和放大任务。

2N3904, BC547, PN2222A