型号：61MA20
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：61 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：244 A
　　功耗（PD）：200 W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：38 mΩ（max）@ VGS = 10 V, ID = 30.5 A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：170 nC（typ）
　　输入电容（Ciss）：5000 pF（typ）
　　反向恢复时间（trr）：58 ns（typ）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220 / TO-220FP

61MA20 MOSFET的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），典型值仅为38 mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体能效。这一特性使其非常适合用于大功率DC-DC转换器和同步整流电路中，尤其是在需要高效能量转换的场合，例如服务器电源、工业电源模块和电动汽车充电系统。该器件的高电流承载能力（61A连续漏极电流）结合200W的最大功耗能力，使其能够在紧凑的设计中实现高功率密度。
　　另一个关键特性是其优化的开关性能。61MA20具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这使得在高频开关操作下能够有效减少驱动损耗和开关损耗，提升系统的工作频率上限。这对于现代开关电源设计尤为重要，因为更高的开关频率可以减小磁性元件和电容的体积，从而实现更小型化的电源解决方案。同时，该器件具备良好的热稳定性，得益于其TO-220封装优异的散热能力，能够在高温环境下长时间稳定运行，结温最高可达150°C，满足工业级应用需求。
　　61MA20还具备较强的鲁棒性和抗雪崩能力。其结构设计能够承受一定的电压过冲和瞬态电流冲击，增强了在恶劣工况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约58ns），减少了反向恢复过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于桥式电路和电机驱动等存在感性负载的应用场景。此外，该器件符合AEC-Q101等可靠性标准，表明其具备汽车级品质，可用于对可靠性要求较高的交通电子系统中。总体而言，61MA20凭借其高性能参数和稳健的设计，成为中高压功率应用中的优选器件之一。

61MA20 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合需要高效、高可靠性的电源转换场景。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关管或同步整流器，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。在DC-DC升压或降压转换器中，61MA20可用于中高功率拓扑结构，如半桥、全桥或推挽电路，支持数百瓦级别的功率输出，常见于工业自动化设备、通信基站电源和嵌入式计算平台中。
　　在电机驱动领域，61MA20可用于H桥驱动电路中作为功率开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。其高电流承载能力和快速响应特性能够有效应对电机启动时的大电流冲击，确保驱动系统的平稳运行。此外，在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该器件可用于DC-AC转换环节，将直流电能高效地转换为交流电能，满足可再生能源设备对高效率和高可靠性的双重需求。
　　61MA20也适用于各种负载开关和热插拔电路，能够安全地控制大电流负载的通断，防止浪涌电流对系统造成损害。在家用电器如空调、洗衣机和电磁炉中，该MOSFET可用于功率调节模块，实现精确的电能控制。由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，61MA20还可用于户外设备和工业控制系统中，在高温、高湿或多尘环境中保持稳定性能。

STP61N20FZ
　　IRFPG50
　　FQP20N61